一种微型低压化学气相淀积实验装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种微型低压化学气相淀积实验装置，属于半导体化学气相淀积技术领域。该装置包括反应系统，真空系统，至少一个反应气体供应系统，以及，N2供应系统；真空系统为反应系统提供实验所需的真空环境，反应气体供应系统向反应系统通入反应气体，N2供应系统向反应系统通入N2。该装置规模小，成本低，成膜速度快，而且能够有效地减少对环境造成污染，能够推动科研人员对LPCVD工艺的研究。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体化学气相淀积
，特别涉及ー种微型低压化学气相淀积实验装置。
技术介绍
在集成电路圆片制造中，低压化学气相淀积(LPCVD)技术主要用于生长绝缘膜(SiO2膜)、电溶质介质膜(Si3N4膜)和栅电极材料(Poly-Si膜)的制备，LPCVD设备是微电子、光电子行业芯片制造过程中不可缺少的关键设备之一。LPCVD技术目前在微电子机械系统、微光机电系统、太阳能电池行业的生产和研究中得到了广泛的的应用。但是传统的LPCVD装置规模大，成本高，成膜速度慢，而且容易对环境造成污染，从而制约了科研人员对LPCVDエ艺的研究。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提出了一种能够有效节约能源、减少对空气环境污染并且满足科研人员对LPCVD设备的需求的微型低压化学气相淀积实验装置。本专利技术提供的微型低压化学气相淀积实验装置包括反应系统，真空系统，至少一个反应气体供应系统，以及，N2供应系统；所述真空系统为所述反应系统提供实验所需真空环境，所述反应气体供应系统向所述反应系统通入反应气体，所述N2供应系统向反应系统通入N2。作为优选，所述微型低压化学气相淀积实验装置还包括连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微型低压化学气相淀积实验装置，其特征在于，包括：反应系统，真空系统，至少一个反应气体供应系统，以及，N2供应系统；所述真空系统为所述反应系统提供真空环境，所述反应气体供应系统向所述反应系统通入反应气体，所述N2供应系统向反应系统通入N2。

【技术特征摘要】
1.一种微型低压化学气相淀积实验装置，其特征在于，包括 反应系统，真空系统，至少一个反应气体供应系统，以及，N2供应系统； 所述真空系统为所述反应系统提供真空环境，所述反应气体供应系统向所述反应系统通入反应气体，所述N2供应系统向反应系统通入N2。2.根据权利要求I所述的装置，其特征在于还包括连接于真空系统上的用于对从所述真空系统排出的气体进行回收的回收系统。3.根据权利要求I所述的装置，其特征在于所述反应系统包括反应腔室、底部具有凹腔的基座、石英舟和加热器，所述基座置于所述反应腔室底部并与所述反应腔室底部边缘密封固定连接，在所述反应腔室内，于所述基座中央设有石英舟，所述加热器设于所述基座底部的凹腔内。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于所述反应系统还包括温度控...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭新贺，景玉鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
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