高温CVD生长室用高度微调节装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种高温CVD生长室用高度微调节装置，包括有耐高温支撑柱、生长室底盘、高度调节盘、高度调节螺钉及锁固螺钉，其中，该耐高温支撑柱相对高度调节盘固定式设置于高度调节盘上，该高度调节盘位于生长室底盘上方；该高度调节盘上开设有螺纹通孔、无螺纹通孔，并于生长室底盘上对应前述无螺纹通孔位置开设有螺纹孔；该高度调节螺钉螺合于高度调节盘的螺纹通孔内，并该高度调节螺钉的底端抵于生长室底盘上；该锁固螺钉穿过高度调节盘的无螺纹通孔并螺合于生长室底盘的螺纹孔内；使用时，松开锁固螺钉，旋转高度调节螺钉以将高度调节合适后，再拧紧锁固螺钉即可，其结构简单、操作方便、能够实现精确细微的高度调节。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及高温CVD设备制造领域技木，尤其是指ー种高温CVD生长室用高度微调节装置。
技术介绍
第三代半导体材料碳化硅(SiC)因其具有的宽禁带、高热导率、高击穿场强、高电子漂移速率等优点，在高温、大功率器件领域有着巨大的应用潜力与市场。而高质量的碳化硅外延材料是制备碳化硅功率器件的前提条件。目前制备碳化硅外延材料主要方法是高温化学气相沉积(CVD)技木。所谓化学气相沉积技术，就是利用载气将反应气体如硅烷、丙烷等运输到外延生长室内，使它们在热衬底上发生化学反应并沉积得到碳化硅(SiC)外延材料。由于该技术要求较高的反应生长温度(1500—16000C )，通常需要采用射频加热的方法对生长室进行加温。而在生长过程中，生长室内部的温度的高低和温场的均匀性等因素对外延效果的好坏有着极大的影响，这些因素又与加热线圈的位置和高度有着密切的关系，加热线圈所在高度的微小变化即会对生长室内部的温场产生显著的影响。因此，如何设计ー种能够支撑加热线圈的高温CVD生长室用高度微调节装置，使其能够精确控制加热线圈的高度变化并使整个加热线圈的高度保持一致，已成为一个极具研究价值的课题。技术内容有鉴于此，本技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高温CVD生长室用高度微调节装置，其特征在于：包括有耐高温支撑柱、生长室底盘、高度调节盘、高度调节螺钉及锁固螺钉，其中，该耐高温支撑柱相对高度调节盘固定式设置于高度调节盘上，该高度调节盘位于生长室底盘上方；该高度调节盘上开设有螺纹通孔、无螺纹通孔，并于生长室底盘上对应前述无螺纹通孔位置开设有螺纹孔；该高度调节螺钉螺合于高度调节盘的螺纹通孔内，并该高度调节螺钉的底端抵于生长室底盘上；该锁固螺钉穿过高度调节盘的无螺纹通孔并螺合于生长室底盘的螺纹孔内。

【技术特征摘要】
1.一种高温CVD生长室用高度微调节装置，其特征在于包括有耐高温支撑柱、生长室底盘、高度调节盘、高度调节螺钉及锁固螺钉，其中，该耐高温支撑柱相对高度调节盘固定式设置于高度调节盘上，该高度调节盘位于生长室底盘上方； 该高度调节盘上开设有螺纹通孔、无螺纹通孔，并于生长室底盘上对应前述无螺纹通孔位置开设有螺纹孔；该高度调节螺钉螺合于高度调节盘的螺纹通孔内，并该高度调节螺钉的底端抵于生长室底盘上；该锁固螺钉穿过高度调节盘的无螺纹通孔并螺合于生长室底盘的螺纹孔内。2.根据权利要求I所述的高温CVD生长室用高度微调节装置，其特征在于所述高度调节盘上的无螺纹通孔为两个，相应地，前述生长室底盘上的螺纹孔亦为两个，前述锁固螺钉亦为两个；该锁固螺钉分别穿过相应的无螺纹通...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙国胜，董林，王雷，赵万顺，刘兴昉，闫果果，郑柳，
申请(专利权)人：东莞市天域半导体科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：