一种选择性发射极电池掩膜的制备方法技术

本发明专利技术公开一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：将印有刻蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气相沉积法PECVD反应炉腔，炉腔内压强抽真空；升高压强，同时通入N2O；检测炉管压强，30s内降低压强；进行预沉积处理，通入NH3、SiH4和N2O；沉积处理，同时向炉管内通入NH3、?SiH4?和N2O；沉积完毕后降温，同时通入N2进行吹扫及冷却处理。本发明专利技术方法制作氮氧化硅掩膜的低温效果降低了温度对硅片少子寿命的影响，同时在二次扩散时不会因为高温导致部分氢键断裂造成氮化硅掩膜结构损伤而引起掩膜功能失效，掩膜效果优于氮化硅薄膜，同时还能阻挡其他杂质金属离子，降低硅片污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种选择性发射极太阳能电池的掩膜，主要应用于晶硅电池片方面，具体地说是一种晶硅太阳能选择性发射极电池掩膜的制备方法。
技术介绍
当前选择性发射极电池的掩膜大多使用二氧化硅或氮化硅制备，二氧化硅一般采用高温生长的方法，高温对硅片存在一定的热损伤，会影响硅片的少子寿命。另外，高温生长制备二氧化硅掩膜使用生产周期长，二氧化硅结构质量不高，起到阻挡层的作用低；氮化硅阻挡层在二次扩散时由于高温造成表面结构损伤，一定程度降低了阻挡作用，两者均影响选择性发射极电池原理的完全实现
技术实现思路
本专利技术的目的是针对目前通过热氧化制备选择性发射极电池片掩膜后造成硅片由于高温导致少子寿命降低的问题提供一种新型掩膜的制备方法。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现，其特征在于它包括以下步骤(I)将印有刻蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气相沉积法PECVD反应炉管，炉管内温度加热至40(T430°C,在4min内压强抽真空至80mTorr ；(2)升高压强至1700mTorr ;持续3min,同时通入N2O流量为4. 4slm ；(3)检测炉管压强，30s内降低压强至50mTorr本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)将印有刻蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气相沉积法PECVD反应炉管，炉管内温度加热至400~430℃，在4min内压强抽真空至80mTorr；(2)升高压强至1700mTorr；持续3min，同时通入N2O流量为4.4slm；(3)检测炉管压强，30s内降低压强至50mTorr；(4)进行预沉积处理，在0.3min内维持压强900~1200mTorr，电源功率4300W，通入NH3流量为1~1.2slm，SiH4流量为230~270sccm，N2O流量为4~4.2slm；(5)沉积处理，升高炉温至450℃，持续1.5...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢春晖，黄仑，吴俊清，王金伟，史孟杰，
申请(专利权)人：东方电气集团宜兴迈吉太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：