关于在离子辅助方式的镀膜方法中，通过离子辅助难于提高形成的薄膜的致密化效果。在镀膜腔室１０中设置固定基板的基板支架２０，使镀膜材料在基板上沉积，在基板上形成镀膜材料的薄膜；进一步,使用具有浓度梯度的离子照射基板支架２０的整个区域，离子照射薄膜,对薄膜进行致密化。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及镀膜，特别是一种通过离子辅助方式进行镀膜的镀膜方法及其镀膜装置。
技术介绍
物理蒸镀法作为形成无机膜和有机膜的方法被广泛应用。物理蒸镀法根据镀膜方法的不同，大致分为真空蒸镀法、溅射法、和离子电镀方法。 在上述的真空蒸镀法或是溅射法等物理方法中，离子辅助的镀膜方法已被知晓。在真空镀膜腔室内，镀膜材料在基板表面上沉积进行镀膜时，通过离子照射镀膜材料的蒸汽及沉积在基板上形成的薄膜，对所形成的薄膜的致密性等的改善工艺过程称之为离子辅助蒸镀。例如，对应于伞状的基板支架，蒸汽和离子对整个基板支架进行照射的镀膜装置。例如在专利文献I (参见特开平I O — I 2 3 3 O I号公报)中，公示了使用离子辅助方式的镀膜方法生产光学产品。还有，例如，在专利文献2 (参见特开2 0 0 7 - 2 4 8 8 2 8号公报)中，公示了使用离子辅助方式的镀膜方法制备光学薄膜。还有，例如，在专利文献3 (参见特开2 0 1 0 - 1 0 6 3 3 9号公报)中，公示了离子辅助方式的镀膜方法。还有，例如，在专利文献4 (参见特开平2003 — 82462号公报)中，公示了使用离子辅助方式的镀膜方法的真空镀膜装置。
技术实现思路
本专利技术要解决的课题 本专利技术要解决的课题是使用离子辅助方式的镀膜方法时，通过离子辅助难于提高形成的薄膜的致密化效果。本专利技术解决课题的方法 一种镀膜方法，在镀膜腔室中设有固定基板的基板支架；使镀膜材料在基板上沉积，在所述基板上形成所述镀膜材料的薄膜，这样的镀膜工序；相对所述基板支架区域，用具有浓度梯度的离子向整个基板支架区域进行照射，在所述膜上照射离子，对所述膜进行致密化的照射工序。所述本专利技术的镀膜方法，其特征在于，在镀膜腔室中设有固定基板的基板支架；使镀膜材料在基板上沉积，在基板上形成镀膜材料的薄膜，进而，相对基板支架的区域用具有浓度梯度的离子向整个基板支架的区域进行照射，在膜上照射离子对膜进行致密化。所述专利技术的镀膜方法，其特征在于，对所述基板支架的部分区域照射高浓度离子，对所述基板支架的其余区域照射低浓度离子。所述专利技术的镀膜方法，其特征在于，在所述离子照射工序上，使所述基板边进行转动边进行照射，实现所述基板交替地通过高浓度离子区域和低浓度离子区域。所述专利技术的镀膜方法，其特征在于，在所述离子照射工序上，使所述基板边转动边照射，实现所述基板以一定的周期交替地通过高浓度离子区域和低浓度离子区域。所述专利技术的镀膜方法，其特征在于，在所述照射工序中，通过驱动基板支架使基板进行转动。所述专利技术的镀膜方法，其特征在于，在所述镀膜工序中，使镀膜速度按照所述的一定的周期性变化进行镀膜。所述专利技术的镀膜方法，其特征在于，使所述基板边转动边进行镀膜，实现所述镀膜工序中在所述镀膜速度最大的位置上，离子照射工序中离子照射量最大。所述专利技术的镀膜方法，其特征在于，使所述基板边转动边进行镀膜，实现所述镀膜 工序中在所述镀膜速度最大的位置上，离子照射工序中离子照射量最小。所述专利技术的镀膜方法，其特征在于，在所述基板支架上固定多片基板，进行所述镀膜工序和所述离子照射工序。本专利技术的技术效果 通过本专利技术的镀膜方法，相对基板支架区域，用具有浓度梯度的离子全面照射基板支架区域，通过离子照射膜，对膜进行致密化，因此通过离子辅助方式可以提高所形的薄膜的致密化效果。附图说明图I是本专利技术第一实施例的镀膜装置的结构示意图。图2是本专利技术第一实施例的镀膜装置的俯视布置示意图。图3是本专利技术第二实施例的镀膜装置的俯视布置示意图。图4是本专利技术第一实施例中，镀膜速度和离子照射量相对于基板位置的变化示意图。图5是本专利技术第二实施例中，镀膜速度和离子照射量相对于基板位置的变化示意图。图中 10…镀膜腔室 11…排气管 12…真空泵 20…基板支架 30…第一蒸发源 31…第一遮挡板 32...尚子源 33…离子源遮挡板 34…第二蒸发源 35…第二遮挡板。具体实施例方式下面参照附图对本专利技术镀膜方法的实施方案进行说明。<第一实施例> 图I是本专利技术第一实施例的镀膜装置的结构示意图。镀膜腔室10通过排气管11和真空泵12连接，镀膜腔室内可以达到所定的压力值。根据真空蒸镀或者是溅射法，在镀膜时镀膜腔室10内背压，例如为I O—2 I O—5Pa左右。在真空镀膜腔室10内设置有固定基板的基板支架20，其形状为伞状。在基板支架·20上固定一片或多片基板，基板的镀膜面朝向蒸发源的方向，以伞柄作为回转轴，设有使其伞状基板支架20转动的驱动机构。在镀膜腔室10内，设置有第一蒸发源30。例如作为蒸发源，在真空蒸镀法进行镀膜时，可以使用电子枪加热型(EB)蒸发源，阻蒸型(RH)蒸发源，激光加热型蒸发源，空心阴极加热型蒸发源等。使用溅射型蒸发源，即使用溅射法进行镀膜时，用带电粒子撞击通电的镀膜材料，得到镀膜材料的汽体。以下对上述的各种类型的蒸发源统称为蒸发源。在第一蒸发源30的附近，设置有第一遮挡板31。由第一蒸发源30产生的镀膜材料的蒸汽，按照C O S η Θ的分布法则扩散的同时，扩散到基板支架20的全体区域或是部分区域，在被固定于基板支架20上的基板上形成镀膜材料的薄膜。为了实现如上所述的、使蒸汽扩散到所期望的基板支架的全体区域或是部分区域，第一蒸发源30与基板支架要离开一定的距离。例如，镀膜材料的蒸汽从第一蒸发源30在一对双点划线人3。之间的区域蒸发，在被固定于基板支架20上的基板上沉积形成镀膜材料的薄膜。双点划线A 3。之间可以覆盖基板支架20的全部区域，或部分区域。在真空镀膜腔室10内，例如设置有离子源32。使离子源32产生离子，照射被汽化的镀膜材料的蒸汽及在基板上沉积后形成的薄膜，对所形成的薄膜进行致密化。离子源32产生的离子，相对基板支架20的区域具有一定的浓度梯度，并且，照射基板支架20的整个区域。离子源32产生的离子可以是氦、氩等惰性气体的离子，也可以使用其它活性气体的尚子。还有，在靠近离子源32处，设置有离子源遮挡板33。该离子源遮挡板33具有控制离子的扩散及防止离子源被污染的功效。通过离子源32，在一对虚线A 3 2之间的区域被照射高浓度的离子，在其外部单点划线方，2的区域被照射低浓度的离子。整个基板支架或是被照射低浓度离子，或被照射高浓度离子。在本实施例的镀膜装置上，设置了第二蒸发源34。第二蒸发源和第一蒸发源一样，可使用电子枪加热型(EB)蒸发源，阻蒸型(RH)蒸发源，激光加热型蒸发源，空心阴极加热型蒸发源等；或者也可以使用溅射型的蒸发源。还有，在靠近第二蒸发源34处，安装了第二遮挡板35。第一遮挡板31和第二遮挡板35，可以防止不被两个蒸发源所蒸发出的蒸汽相互干扰。例如，来自第二蒸发源34的镀膜材料的蒸汽在一对双点划线A 34之间的区域蒸发，沉积到固定在基板支架20上的基板上，形成镀膜材料的薄膜。双点划线A 3 4可以覆盖基板支架20的全部区域，也可以是部分区域。关于本实施例，一个基板支架可以固定单片基板或是多片基板，在基板上进行镀膜。在通常所说的以罩为单位生产的镀膜装置上，对本实施例进行说明。实施本方案的镀膜装置，不仅限于以罩为单位的镀膜装置，在以连续方式进行镀 膜、基板在镀膜腔室中以步进式或者是行进式本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种镀膜方法，其特征在于，在镀膜腔室中设置有固定基板的基板支架，所述镀膜材料在基板上沉积，在基板上形薄膜的镀膜工序；具有浓度梯度的离子全面照射所述基板支架的整个区域，所述薄膜被离子照射使薄膜致密化的照射工序。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐健，范宾，三浦俊彦，渡边优，黄志飞，
申请(专利权)人：光驰科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。