一种ITO镀膜返工处理蚀刻液及其制备方法技术

本发明专利技术属于TFT‑LCD减薄镀膜领域，本发明专利技术公开了一种ITO镀膜返工处理蚀刻液及其制备方法。ITO镀膜返工处理蚀刻液，由盐酸、草酸、有机多元磷酸、碘酸和纯水五种原料混合均匀而成；该ITO镀膜返工处理蚀刻液制备工艺，包括将强酸性阳离子交换树脂加入到盐酸中，搅拌混合，然后滤出强酸性阳离子交换树脂，控制或去除盐酸中的杂质离子；将草酸晶体、部分纯水、盐酸、有机多元磷酸、碘酸、剩余纯水，最后过滤制得ITO镀膜返工处理蚀刻液；有益效果：本发明专利技术的蚀刻液对ITO层的浸润性好，保证TFT‑LCD上的ITO能够完全蚀刻，从而减少产品的报废率；蚀刻后微晶体残留很少，保证蚀刻液在使用的过程中不会堵塞过滤器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于TFT-LCD减薄镀膜领域，具体涉及一种ITO镀膜返工处理蚀刻液及其制备方法。
技术介绍
氧化铟锡(IndiumTinOxides)导电膜是指采用磁控溅射的方法，在TFT-LCDCF面上溅射透明ITO导电薄膜镀层得到的产品。在生产过程中，产品难免会有一些ITO镀膜不良情况出现，为了降低企业的成本，需要对ITO镀膜不良的产品进行返工处理，将镀膜去掉，重新镀膜，以减少产品的浪费，降低企业的产品报废率。对ITO镀膜返工处理的常用方法是采用蚀刻的方式。蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻。其中，湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的。薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT-LCD)、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜的蚀刻通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液，或者采用草酸型的ITO蚀刻液。其中，盐酸和硝酸的混合水溶液为通用ITO蚀刻液，其腐蚀能力强，在试剂蚀刻过程中，往往难以控制蚀刻角度和蚀刻时间，对操作人员和客户端设备的危险性也较高。而草酸型的ITO蚀刻液，其为无色透明液体，显酸性，该产品主要用于TFT-LCD、LED、OLED等行业用作面板制程中的ITO层的蚀刻剂。目前ITO蚀刻液主要由草酸晶体和纯水为组成，该产品主要存在以下几点缺点：①目前国内厂家使用的草酸型ITO蚀刻液的表面张力在70mN/m左右，对ITO层的浸润性不足，导致蚀刻后存在微晶体残留；②同时客户在使用时容易致使客户端过滤器堵塞，影响客户设备及使用。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术中存在的缺陷，提供一种ITO镀膜返工处理蚀刻液，来保证TFT-LCD上的ITO能够完全清除，从而达到减少产品报废率，同时解决ITO蚀刻液在使用的时候避免堵塞过滤器。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种ITO镀膜返工处理蚀刻液，由盐酸、草酸、有机多元磷酸、碘酸和纯水五种原料混合均匀而成；每种原料的重量百分比分别为：盐酸10%~20％，草酸5%~15％，有机多元膦酸3%~5％，碘酸1%~2.5％，其余为纯水；其中，盐酸的浓度大于50％，草酸为浓度大于99.5％的草酸晶体，有机多元膦酸的浓度大于85%，碘酸的浓度大于85％。本专利技术还提供了一种上述ITO镀膜返工处理蚀刻液的制备方法，其步骤如下：步骤一：将强酸性阳离子交换树脂加入到盐酸中，搅拌混合，搅拌的速度为70转/分钟，搅拌时间为10分钟，然后滤出强酸性阳离子交换树脂，控制或去除盐酸中的杂质离子；步骤二：将盐酸、草酸、有机多元磷酸、碘酸与纯水进行相应的配比，并称重配置；步骤三：将草酸晶体和1/2纯水倒入反应釜中，在常温、常压下充分搅拌，搅拌时间为15分钟，搅拌速度为70转/分钟；步骤四：然后加入盐酸，充分搅拌5分钟，加入有机多元磷酸，充分搅拌5分钟，加入碘酸，充分搅拌5分钟；最后加入剩余纯水，再搅拌20分钟，搅拌速度为75转/分钟；步骤五：最后将制得的混合物经0.1μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.1μm的有害粒子，制得ITO镀膜返工处理蚀刻液；ITO镀膜返工处理蚀刻液其表面张力低为10mN/m。优选地，所述强酸性阳离子交换树脂为强酸性苯乙烯系阳离子交换树脂。本专利技术的有益效果是：①本专利技术的蚀刻液对ITO层的浸润性好，保证TFT-LCD上的ITO能够完全蚀刻，从而减少产品的报废率；②本专利技术的蚀刻液蚀刻后微晶体残留很少，保证蚀刻液在使用的过程中不会堵塞过滤器。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步的说明。实施例1一种ITO镀膜返工处理蚀刻液，由盐酸、草酸、有机多元磷酸、碘酸和纯水五种原料混合均匀而成；每种原料的重量百分比分别为：盐酸12％，草酸8％，有机多元膦酸3％，碘酸1％，其余为纯水。其中，盐酸的浓度为55％，草酸为浓度99.6％的草酸晶体，有机多元膦酸的浓度为87%，碘酸的浓度为89％。一种上述ITO镀膜返工处理蚀刻液的制备方法，其步骤如下：步骤一：将强酸性阳离子交换树脂加入到盐酸中，搅拌混合，搅拌的速度为70转/分钟，搅拌时间为10分钟，然后滤出强酸性阳离子交换树脂，控制或去除盐酸中的杂质离子；步骤二：将盐酸、草酸、有机多元磷酸、碘酸与纯水按以上所述配比，并称重配置；步骤三：将草酸晶体和1/2纯水倒入反应釜中，在常温、常压下充分搅拌，搅拌时间为15分钟，搅拌速度为70转/分钟；步骤四：然后加入盐酸，充分搅拌5分钟，加入有机多元磷酸，充分搅拌5分钟，加入碘酸，充分搅拌5分钟；最后加入剩余纯水，再搅拌20分钟，搅拌速度为75转/分钟；步骤五：最后将制得的混合物经0.1μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.1μm的有害粒子，制得ITO镀膜返工处理蚀刻液；ITO镀膜返工处理蚀刻液其表面张力低为9.6mN/m。在上述工艺步骤中，所述强酸性阳离子交换树脂为强酸性苯乙烯系阳离子交换树脂。实施例2一种ITO镀膜返工处理蚀刻液，由盐酸、草酸、有机多元磷酸、碘酸和纯水五种原料混合均匀而成；其中，每种原料的重量百分比分别为：盐酸10％，草酸12％，有机多元膦酸4％，碘酸2％，其余为纯水；其中，盐酸的浓度为60％，草酸为浓度99.7％的草酸晶体，有机多元膦酸的浓度为88%，碘酸的浓度为90％。一种上述ITO镀膜返工处理蚀刻液的制备方法，其步骤如下：步骤一：将强酸性阳离子交换树脂加入到盐酸中，搅拌混合，搅拌的速度为70转/分钟，搅拌时间为10分钟，然后滤出强酸性阳离子交换树脂，控制或去除盐酸中的杂质离子；步骤二：将盐酸、草酸、有机多元磷酸、碘酸与纯水按以上所述配比，并称重配置；步骤三：将草酸晶体和1/2纯水倒入反应釜中，在常温、常压下充分搅拌，搅拌时间为15分钟，搅拌速度为70转/分钟；步骤四：然后加入盐酸，充分搅拌5分钟，加入有机多元磷酸，充分搅拌5分钟，加入碘酸，充分搅拌5分钟；最后加入剩余纯水，再搅拌20分钟，搅拌速度为75转/分钟；步骤五：最后将制得的混合物经0.1μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.1μm的有害粒子，制得ITO镀膜返工处理蚀刻液；ITO镀膜返工处理蚀刻液其表面张力低为9.8mN/m。在上述工艺步骤中，所述强酸性阳离子交换树脂为强酸性苯乙烯系阳离子交换树脂。实施例3一种ITO镀膜返工处理蚀刻液，由盐酸、草酸、有机多元磷酸、碘酸和纯水五种原料混合均匀而成；其中，每种原料的重量百分比分别为：盐酸15％，草酸10％，有机多元膦酸4％，碘酸1.8％，其余为纯水；其中，盐酸的浓度为65％，草酸为浓度99.7％的草酸晶体，有机多元膦酸的浓度为90%，碘酸的浓度为92％。一种上述ITO镀膜返工处理蚀刻液的制备方法，其步骤如下：步骤一：将强酸性阳离子交换树脂加入到盐酸中，搅拌混合，搅拌的速度为70转/分钟，搅拌时间为10分钟，然后滤出强酸性阳离子交换树脂，控制或去除盐酸中的杂质离子；步骤二：将盐酸、草酸、有机多元磷酸、碘酸与纯水按以上所述配比，并称重配置；步骤三：将草酸晶体和1/2纯水倒入反应釜中，在常温、常压下充分搅拌，搅拌时间为15分钟，搅拌速度为70转/分钟；步骤四：然后加入盐酸，充分搅拌5分钟，加入有机多元磷酸，充分搅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ITO镀膜返工处理蚀刻液，其特征在于，由盐酸、草酸、有机多元磷酸、碘酸和纯水五种原料混合均匀而成；每种原料的重量百分比分别为：盐酸10％～20％，草酸5％～15％，有机多元膦酸3％～5％，碘酸1％～2.5％，其余为纯水。

【技术特征摘要】
1.一种ITO镀膜返工处理蚀刻液，其特征在于，由盐酸、草酸、有机多元磷酸、碘酸和纯水五种原料混合均匀而成；每种原料的重量百分比分别为：盐酸10％～20％，草酸5％～15％，有机多元膦酸3％～5％，碘酸1％～2.5％，其余为纯水。2.根据权利要求所述的ITO镀膜返工处理蚀刻液，其特征在于，盐酸的浓度大于50％,草酸为浓度大于99.5％的草酸晶体，有机多元膦酸的浓度大于85％，碘酸的浓度大于85％。3.一种ITO镀膜返工处理蚀刻液的制备方法，其特征在于，其步骤如下：步骤一：将强酸性阳离子交换树脂加入到盐酸中，搅拌混合，搅拌的速度为70转/分钟，搅拌时间为10分钟，然后滤出强酸性阳离子交换树脂，控制或去除盐酸中的杂质离子；步骤二：将盐酸、草酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈新华，严由雄，刘生华，
申请(专利权)人：赣州帝晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36