蚀刻剂组成物及利用此的透明电极形成方法技术

本发明专利技术公开了一种蚀刻剂组成物及利用此的透明电极形成方法，所述蚀刻剂组成物包括：硝酸，3重量％以上且小于10重量％；氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；氨化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；环状氨基化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；其余重量％的水。据此，可以通过选择性地蚀刻金属氧化层，防止包括铜、钛、钼或者铝的金属层的蚀刻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种蚀刻剂组成物、利用此的透明电极的形成方法及显示基板制造方法。尤其，涉及一种可以蚀刻金属氧化物层的蚀刻剂成分、利用此的透明电极及显示基板制造方法。
技术介绍
通常，用于显示装置的显示基板包括：作为用于驱动各个像素区域的开关元件的薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管连接的信号配线以及像素电极。所述信号线包括：栅极线，传递栅极的驱动信号；数据配线，与所述栅极线交叉并传递数据驱动信号。所述像素电极包含铟锡氧化物、铟锌氧化物等之类的金属氧化物，且为了形成所述像素电极，使用蚀刻剂组成物。为了蚀刻所述金属氧化物，现有的蚀刻剂组成物包含硫酸。包含硫酸的蚀刻剂组成物会产生有害物质而会引起环境问题。而且，可能会损伤包括铜、铝、钼或钛等金属的其他金属膜。为了解决上述问题，若从蚀刻剂组成物中去掉硫酸成分，并提高硝酸的含量，则会因氮总量的增加，导致废水处理量的增加。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种减少对环境有害的物质的产生，且通过选择性地蚀刻金属氧化层来防止其他金属层的损伤的蚀刻剂组成物。本专利技术的另一目的在于提供一种利用所述蚀刻剂组成物的透明电极的形成方法。本专利技术的另一目的在于提供一种利用所述蚀刻剂组成物的显示基板的制造方法。为了实现所述的本专利技术的目的，根据一实施例的蚀刻剂组成物包括：硝酸，3重量％以上且小于10重量％；氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；氨化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；环状氨基化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；其余重量％的水。一实施例中，所述硝酸可以包括硝酸或者亚硝酸。一实施例中，所述氯化物可以包括氯化钠、氯化钾或者氯化氨。一实施例中，所述氨化合物可以包括硫酸铵或者硫化铵。一实施例中，所述环状氨基化合物可以包括吡咯(pyrrole)、吡唑(pyrazole)、咪唑(imidazole)、三唑(triazole)、四唑(tetrazole)、五唑(pentazole)、恶唑(oxazole)、异恶唑(isoxazole)、噻唑(thiazole)或者异噻唑(isothiazole)。一实施例中，所述环状氨基化合物可以包括苯并三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、5-甲基四唑。根据为了实现所述本专利技术的另一目的的一实施例的透明电极的形成方法在基板上形成包括金属氧化物的透明电极层。在所述透明电极层上形成光致抗蚀剂图案。将所述光致抗蚀剂图案利用为掩膜，向包括所述金属氧化物的透明电极层提供蚀刻剂组成物，以蚀刻所述透明电极层，其中，所述蚀刻剂组成物包括：硝酸，3重量％以上且小于10重量％；氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；氨化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；环状氨基化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；其余重量％的水。一实施例中，所述透明电极可以包括铟锌氧化物或者铟锡氧化物。一实施例中，所述硝酸可以包括硝酸或者亚硝酸。一实施例中，所述氯化物可以包括氯化钠、氯化钾或者氯化氨。一实施例中，所述氨化合物可以包括硫酸铵或者硫化铵。一实施例中，所述环状氨基化合物可以包括吡咯(pyrrole)、吡唑(pyrazole)、咪唑(imidazole)、三唑(triazole)、四唑(tetrazole)、五唑(pentazole)、恶唑(oxazole)、异恶唑(isoxazole)、噻唑(thiazole)或者异噻唑(isothiazole)。一实施例中，所述环状氨基化合物可以包括苯并三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、5-甲基四唑。根据为了实现所述本专利技术的另一目的的实施例的显示基板的制造方法在基板上形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：栅电极；半导体层，与所述栅电极重叠；源电极，与所述半导体层接触；漏电极，与所述半导体层接触且与所述源电极分开。形成覆盖所述薄膜晶体管的保护膜。对所述保护膜进行图案化，以漏出所述漏电极。在所述保护膜上形成金属氧化物层。利用蚀刻剂组成物来蚀刻所述金属氧化物层，以形成与所述漏电极连接的像素电极。所述蚀刻剂组成物包括：硝酸，3重量％以上且小于10重量％；氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；氨化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；环状氨基化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；其余重量％的水。一实施例中，所述透明电极可以包括铟锌氧化物或者铟锡氧化物。一实施例中，所述硝酸可以包括硝酸或者亚硝酸。一实施例中，所述氯化物可以包括氯化钠、氯化钾或者氯化氨。一实施例中，所述氨化合物可以包括硫酸铵或者硫化铵。一实施例中，所述环状氨基化合物可以包括吡咯(pyrrole)、吡唑(pyrazole)、咪唑(imidazole)、三唑(triazole)、四唑(tetrazole)、五唑(pentazole)、恶唑(oxazole)、异恶唑(isoxazole)、噻唑(thiazole)或者异噻唑(isothiazole)。一实施例中，所述环状氨基化合物可以包括苯并三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、5-甲基四唑。根据本专利技术的实施例的蚀刻剂组成物可以选择性地蚀刻金属氧化层，从而防止对含铜、钛、钼或者铝的金属层的蚀刻。而且，因为蚀刻液中不包含硫酸，所以可以通过防止硫酸引起的有害物质的产生来防止环境污染。附图说明图1至图6是表示显示基板制造方法的截面图。符号说明GL：栅极线GE：栅电极SE：源电极DE：漏电极AP：有源图案OC：欧姆接触层PE：像素电极110：基板120：栅绝缘层140：钝化层160：有机绝缘层具体实施方式下面，首先对于根据本专利技术第一实施例的蚀刻剂组成物进行说明，然后参考附图对于利用所述蚀刻剂组成物的透明电极的形成方法以及显示基板的制造方法进行更为详细的说明。蚀刻剂组成物根据本专利技术第一实施例的蚀刻剂组成物包括：硝酸、氯化物、氨化合物、环状氨基化合物及作为其余成分的水。所述的蚀刻剂组成物可以用于选择性地蚀刻金属氧化层。具体来说，所述蚀刻剂组成物可以用于铟锡氧化物(indiumtinoxide；ITO)、铟锌氧化物(indiumzincoxide；IZO)、氧化锌(zincoxide；ZNO)等透明导电性氧化物的蚀刻。所述的铟锡氧化物或者铟锌氧化物可以是晶体结构也可以是非晶体结构。所述蚀刻剂组成物可以防止或者最小化对含铜、铝、钼或钛的金属膜的损伤。下面，对各组成物进行具体的说明。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻剂组成物，包括：硝酸，3重量％以上且小于10重量％；氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；氨化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；环状氨基化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；其余重量％的水。

【技术特征摘要】
2014.09.01 KR 10-2014-01156261.一种蚀刻剂组成物，包括：
硝酸，3重量％以上且小于10重量％；
氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；
氨化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；
环状氨基化合物，0.1重量％以上且5重量％以下；
其余重量％的水。
2.如权利要求1所述的蚀刻剂组成物，其特征在于，
所述硝酸包括从由硝酸和亚硝酸构成的群中选择的至少一个。
3.如权利要求1所述的蚀刻剂组成物，其特征在于，
所述氯化物包括从由氯化钠、氯化钾以及氯化氨构成的群中选择的至少
一个。
4.如权利要求1所述的蚀刻剂组成物，其特征在于，
所述氨化合物包括从由硫酸铵和硫化铵构成的群中选择的至少一个。
5.如权利要求1所述的蚀刻剂组成物，其特征在于，
所述环状氨基化合物包括从由吡咯、吡唑、咪唑、三唑、四唑、五唑、
恶唑、异恶唑、噻唑及异噻唑构成的群中选择的至少一个。
6.如权利要求5所述的蚀刻剂组成物，其特征在于，
所述环状氨基化合物包括从由苯并三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、5-
甲基四唑构成的群中选择的至少一个。

【专利技术属性】
技术研发人员：朴弘植，文英慜，郑锺铉，金宝衡，南基龙，朴英哲，尹暎晋，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR