本发明专利技术揭示了一种电容触控屏，触控屏的玻璃基板浮法面依次设有ITO跳跃导体图层、OC绝缘架桥层、ITO单元图形，周边设有金属四周线路图层。本发明专利技术的优点在于有效的解决了电容屏上出现“麻点”的现象，并且以往技术中ITO单元图形都是采用常温来溅镀，ITO膜电阻难控制，本发明专利技术通过利用OC负性绝缘透明光阻来制作绝缘架桥层，有效保护ITO跳跃导体层，使得ITO单元图形也可以采用正常高温真空磁控溅射方式溅镀，能有效的控制标准所需要的膜电阻，有能使黄光制程中使用单一ITO蚀刻液及减少一道高温烘烤，提高了生产效率，降低了生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有双层高温ITO图层及跳跃结构的电容触控屏及其生产工艺。
技术介绍
现有的触控面板(Touch Panel)的触控输入方式，包括电阻式、电容式、光学式、电磁感应式及音波感应式等。目前市场上生产的触控屏主要是电容触控屏，它主要分为表面式和投射式两种。其中投射式又称感应电容触控屏，且无需人工校正，采用矩阵结构，精确度很高，非常适合在便携式电子产品上使用。在电容触控屏制程中，主要分为两种制成结构:双面(DITO)结构的产品功能更好，结构更牢固，可靠性优秀。但缺点在制成难度闻。专利容易冲突；单面(SITO)结构，如图1所示，这类屏幕为本专利技术所涉及的屏幕结构，该电容触控屏机械结构简单，目前市场普遍都生产金属(mo/al/mo)跳跃层(jumper),制程简单。但金属跳跃层缺点，金属跳跃层图案宽度要求在7-9um，整体工艺参数不易控制，金属跳跃图层反射率高，外观会存在跳跃导体图层眩光产生“麻点”现象影响外观。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是实现一种避免存在“麻点”现象的电容触控屏，以及生产该电容屏的双层高温制ITO膜工艺。为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为:一种电容触控屏，触控屏的玻璃基板浮法面依次设有ITO跳跃导体图层、0C(0C透明树脂感光剂)绝缘架桥层、ITO单元图形，周边设有金属四周线路图层。所述的玻璃基板空气面依次设有防静电ITO层和防静电二氧化硅保护层，所述的ITO单元图形外设有树脂保护层。一种电容触控屏的生产工艺，步骤1、玻璃基板浮法面采用真空磁控溅射方法镀制ITO膜，再通过黄光光刻工艺制作ITO跳跃导体图层；步骤2、在ITO跳跃导体图层上制作一层通过黄光光刻制作OC绝缘架桥层；步骤3、采用真空磁控溅射方法镀制ITO膜，再通过黄光光刻工艺制作ITO单元图形；步骤4、之后利用真空磁控溅射镀膜机在制作好的ITO单元图形外镀一层金属导电材料，再在这里通过黄光光刻制作金属四周线路图层金属四周线路图层；步骤5、在玻璃基板空气面分别通过用真空磁控溅射依次镀制防静电ITO层和防静电二氧化硅保护层，在浮法面最外层通过触摸屏黄光光刻制作树脂保护层。进一步的，所述的ITO跳跃导体图层和ITO单元图形采用真空磁控溅射方法的溅射温度为250°C -350°C。进一步的，所述的OC绝缘架桥层采用OC负性绝缘透明光阻。本专利技术的优点在于有效的解决了电容屏上出现“麻点”的现象，并且以往技术中ITO单元图形都是采用常温来溅镀，ITO膜电阻难控制，本专利通过利用OC负性绝缘透明光阻来制作绝缘架桥层，有效保护ITO跳跃导体层，使得ITO单元图形也可以采用正常高温真空磁控溅射方式溅镀，能有效的控制标准所需要的膜电阻，有能使黄光制程中使用单一 ITO蚀刻液及减少一道高温烘烤，提高了生产效率，降低了生产成本。附图说明下面对本专利技术说明书中每幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明:图1为常用金属跳跃导体结构平面图；图2为本专利技术ITO跳跃导体结构平面图:图3为本专利技术电容屏剖视图；上述图中的标记均为:1、防静电二氧化硅保护层；2、防静电ITO层；3、玻璃基板；4、ITO跳跃导体图层；5、OC绝缘架桥层；6、ITO单元图形；7、金属四周线路图层；8、树脂保护层；9、金属跳跃导体；10、绝缘架桥。具体实施例方式下面对照附图，通过对实施例的描述，本专利技术的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理、制造工艺及操作使用方法等，作进一步详细的说明，以帮助本领域技术人员对本专利技术的专利技术构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。参见图2、3可知，本专利技术电容触控屏玻璃基板3浮法面依次设有ITO跳跃导体图层4、0C绝缘架桥层5、ITO单元图形6和树脂保护层8，周边设有金属四周线路图层7，在玻璃基板3空气面依次设有防静电ITO层2和防静电二氧化硅保护层I。为了避免金属跳跃导体9图层产生眩光，使工艺参数容易控制，这样了用ITO导电膜制作跳跃导体图层代替金属跳跃导体图层。工艺参数好控制，ITO跳跃层图案宽度为30um，ITO导电膜层透过率好，不易产生眩光。本专利技术电容触控屏生产制作时，若相应材料制作采用与以往相同的技术，即ITO跳跃导体图层4的ITO导电膜采用正常真空磁控溅射方式，溅射温度为250°C _350°C，使用混合质量分数比为98%氯化铁和2%盐酸进行黄光蚀刻技术进行蚀刻，为了防止ITO跳跃导体图层4与ITO单元图形6因材料相同，而被同一蚀刻药液把有效图层蚀刻掉，导致功能上断路，则需要制作ITO单元图形6时ITO导电膜采用真空磁控溅射方式，溅射温度为常温250C _30°C，使用草酸进行黄光蚀刻技术进行蚀刻。但常温真空磁控溅射方式溅镀出来的ITO膜电阻和ITO膜厚难以控制，制作黄光草酸蚀刻后要进行高温烘烤(温度240°C ;时间；30-45分钟)还原ITO膜电阻(把常温溅镀ITO膜电阻通过高温烘烤来降低到标准所需要的ITO膜电阻)。本专利技术为了防止ITO跳跃导体图层4与ITO单元图层6因材料相同。而被同一蚀刻液把有效图层蚀刻掉，导致功能上短路。所以本专利技术制作绝缘架桥层时使用OC负性绝缘透明光阻，其附着力强，不易四边翘起及脱落，有效的保护ITO跳跃导体不被下一道制程制作ITO单元图层6图案时蚀刻药液攻击破坏ITO跳跃导体图层4。就此研发出更高效的生产工艺:步骤1、玻璃基板3采用强化后正常触控基板玻璃，浮法面采用真空磁控溅射方法镀制ITO跳跃导体图层4，溅射温度为250°C _350°C，采用触控屏的触控部黄光光刻技术，对ITO膜进行清洗，涂布，烘烤，曝光、显影，蚀刻，剥离工艺处理，制作成ITO跳跃导体图层4;步骤2、在ITO跳跃导体图层4上制作一层通过黄光光刻制作OC绝缘架桥层5 ;采用控屏的触控部黄光光刻技术，依次进行清洗，涂布，烘烤，曝光、显影，硬烤工艺处理，制作OC绝缘架桥层5 ;也是本专利关键所在，利用OC负性绝缘透明光阻制作绝缘架桥层；OC正性绝缘透明光阻黄光制作中，通过掩膜板成图案，有被UV光照射的区域光阻通过显影把光阻去除。正性绝缘透明光阻附着力差，容易边缘翘起使的ITO蚀刻药液渗漏把原先制作好的ITO跳跃导体图案被蚀刻掉，导致功能断路，优点:生产异常时，可以返工处理。 OC负性绝缘透明光阻黄光制作中，生产异常时，无法返工处理。优点:附着力好。可以有效的保护ITO跳跃导体图层不被攻击破坏ITO跳跃导体图层；因此制作绝缘架桥层时使用OC负性绝缘透明光阻，其附着力强，不易四边翘起及脱落，有效的保护ITO跳跃导体不被下一道制程制作ITO单元图形6图案时蚀刻药液攻击破坏ITO跳跃导体图层4;步骤3、采用真空磁控溅射方法镀制ITO单元图形6，采用正常参数300_350°C真空磁控溅射方法镀制；再在溅射的ITO膜上制作ITO单元图层6，此为常规手段，即采用触控屏的触控部黄光光刻技术，对ITO膜进行涂布，烘烤，曝光、显影，蚀刻，剥离工艺处理，制作成ITO单元图层6;此为本专利的重点主题制作ITO-jumper及ITO-pattern都是使用正常高温镀膜。正常高温镀膜优点:ΙΤ0分子结构牢固，导电性好，工艺容易管控制程参数。改进了之前正常高温镀膜ITO制作jumper，低温镀膜I本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电容触控屏，其特征在于：触控屏的玻璃基板（3）浮法面依次设有ITO跳跃导体图层（4）、OC绝缘架桥层（5）、ITO单元图形（6），周边设有金属四周线路图层（7）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈励，许沭华，迟晓辉，胡里程，
申请(专利权)人：芜湖长信科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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