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本发明公开一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：将印有刻蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气相沉积法PECVD反应炉腔，炉腔内压强抽真空；升高压强，同时通入N2O；检测炉管压强，30s内降低压强；进行预沉积处理...该专利属于东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司授权不得商用。