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制备InN基薄膜的方法，其利用氢化物气相外延（HVPE）设备生长InN薄膜。蓝宝石或者GaN/蓝宝石复合衬底清洗后，放入HVPE生长系统中，开始生长I?nN薄膜；生长区温度：500-650℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1-5slm；铟...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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