本发明专利技术公开一种用于平板显示器的化学气相沉积（chemical?vapor?deposition；CVD）装置，所述装置包括：基座，用于支撑基板；真空室，在所述真空室中对所述基板执行沉积工艺，且所述真空室包括形成于其底部中心区域上并使用于向上/向下移动所述基座的柱穿过其中的柱通孔、以及与所述柱通孔间隔开的真空抽吸端口；以及真空抽吸控制单元，其与所述真空抽吸端口相连接并控制所述真空室中的抽吸位置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于平板显示器的化学气相沉积装置，更具体而言，涉及如下一种用于平板显示器的化学气相沉积装置其中调整真空室内的抽吸位置，以使所述真空室内的压力分布均匀，因此提高对基板的沉积品质，并在结构上改良用于相对于所述真空室放入或取出基板的狭缝阀总成。
技术介绍
平板显示器已被广泛用作电视机、计算机等的显示器、以及个人移动终端。存在各种平板显示器，例如液晶显示器(liquid crystal display ;LCD)、等离子体显示面板 (plasma display panel ;PDP)、有机发光二极管(organic light emitting diode ；0LED)坐寸ο有机发光显示器(organic light emitting display ;0LED)为基于其自身中的有机材料的发光而显示彩色图像的超薄显示器，鉴于其结构简单及光学效率高，有机发光显示器已作为下一代颇有前景的平板显示器而受到关注。为制造此种有机发光显示器(OLED)的基板，需重复地实现对无机材料的沉积及图案化工艺，以在基板上形成薄膜晶体管(thin film transistor ;TFT),并随后沉积有机材料以形成发光单元。通常而言，沉积于有机发光显示器(OLED)的基板上的无机材料是通过化学气相沉积(chemical vapor deposition ;CVD)工艺而沉积,这是因为CVD工艺有利于形成各种薄膜。以下将简单地阐述CVD工艺，其为用于制造有机发光显示器(OLED)的基板的沉积工艺其中之一。在CVD工艺中，在外部高频电源作用下处于等离子体状态并具有高能量的硅化合物离子通过电极而自气体分配板溅射并沉积于玻璃基板上。此过程在用于CVD工艺的真空室中实现。一种用于CVD的装置包括真空室，在所述真空室中对玻璃基板执行沉积工艺；电极，设置于所述真空室中，并将作为沉积材料的预定硅化合物离子溅射至作为沉积对象的玻璃基板；基座，设置于所述真空室中并支撑所述玻璃基板；以及柱，其具有耦合至所述基座的中心区域的上端部及穿过所述真空室而向下暴露的下端部，并支撑所述基座以向上及向下移动。所述真空室形成有供所述柱穿过的柱通孔(column through hole)。所述柱通孔形成于所述真空室的底部中心区域上。同时，CVD工艺需要所述真空室中处于真空状态。为使所述真空室的内部处于真空状态，使所述真空室连接至真空泵。与所述真空室相连接的所述真空泵将气体抽出所述真空室，并因此使所述真空室为真空的。为实现所述真空泵的抽吸操作，在所述真空室的底部上设置真空抽吸端口并使其连接至所述真空泵。在如图I所示的用于平板显示器的传统CVD装置中，柱通孔2形成于真空室I的底部的中心部中，且真空抽吸端口 3设置于与柱通孔2间隔开的位置处。换言之，真空抽吸端口 3设置于欲与真空室I的底部的中心部间隔开的位置处。由于真空抽吸端口 3设置于与真空室I的中心部偏离的位置处，因此当真空室I 中的气体通过真空抽吸端口 3而被抽出时，真空室I中的压力分布会不均匀。因此，与真空室I的中心部偏离的真空抽吸端口 3会在真空室I中造成局部压力差，且该局部压力差会使玻璃基板上的沉积品质劣化，从而对CVD工艺产生不良影响。此外，在其中对基板执行沉积工艺的真空室I的外壁上设置有形状像狭缝的闸门 G，且在闸门G的附近设置有用于闭合及打开该狭缝的狭缝阀(图中未显示)。传统的狭缝阀被单独地制造成腔室形式，并视需要而在使用时组装至真空室I的外壁。然而，由于狭缝阀被单独地制造并组装至真空室I的外壁，因此该狭缝阀所组装至的真空室I的外壁与其中容纳有该狭缝阀的阀室(图中未显示)的外壁之间的死空间 (dead space)变得更大。因此，很有可能会使处理结果在狭缝阀附近陷入混乱，且不必要的死空间会增大整个装置的占用面积(footprint)。
技术实现思路
本专利技术的一个方面是提供一种用于平板显示器的化学气相沉积装置，在所述装置中调整真空室内的抽吸位置而使所述真空室内的压力分布均匀，并因此提高对基板的沉积品质。本专利技术的另一方面是提供一种用于平板显示器的化学气相沉积装置，其包括狭缝阀总成，以减小狭缝阀所组装至的真空室的外壁与其中容纳有狭缝阀的阀室的外壁之间的传统死空间。根据本专利技术的一个方面，提供一种用于平板显示器的化学气相沉积(CVD)装置，所述装置包括基座，用于支撑基板；真空室，在所述真空室中对所述基板执行沉积工艺，且所述真空室包括形成于其底部中心区域上并使用于向上/向下移动所述基座的柱穿过其中的柱通孔、以及与所述柱通孔间隔开的真空抽吸端口 ；以及真空抽吸控制单元，其与所述真空抽吸端口相连接并控制所述真空室中的抽吸位置。所述真空抽吸控制单元可包括抽吸控制通道，具有大于所述真空抽吸端口的横截面积并与所述真空抽吸端口相连通；以及抽吸控制盖，用于自上侧覆盖所述抽吸控制通道并以穿透方式形成有多个彼此间隔开的抽吸控制孔，以与所述抽吸控制通道相连通。所述多个抽吸控制孔可相对于穿过所述柱通孔及所述真空抽吸端口的参考线而对称地设置。所述多个抽吸控制孔可包括相对于穿过所述柱通孔及所述真空抽吸端口的参考线而对称地设置的两个抽吸控制孔。所述抽吸控制通道可在距所述真空室的底部预定深度处凹陷。所述抽吸控制通道可具有关于穿过所述柱通孔及所述真空抽吸端口的参考线而对称的环形形状或U形形状其中之一。所述抽吸控制盖可包括顶部，其上形成有所述多个抽吸控制孔；以及侧部，自所述顶部延伸并向下弯曲。所述侧部可形成有自其底部凹陷预定深度的沟槽，且所述真空室的所述底部可形成有肋，所述肋欲被插入于所述沟槽中。所述装置还可包括设置于所述沟槽与所述肋之间的O形环。所述侧部可形成有自其底部突出的插入突出部，且所述真空室的所述底部可形成有插入孔，所述插入突出部强制配合于所述插入孔。所述装置还可包括基座支架，耦合至所述真空室中的所述柱，在其顶部的至少一个区域处被接触支撑于所述基座的后部上，并用于自下侧支撑所述基座，以防止所述基座下垂。根据本专利技术的一个方面，提供一种用于平板显示器的化学气相沉积(CVD)装置，所述装置包括真空室，其包括下腔室及耦合至所述下腔室的顶部的上腔室，所述下腔室设置有狭缝，通过所述狭缝而放入或取出基板；以及狭缝阀总成，其被整合于所述真空室中，并打开所述狭缝以容许所述基板进入所述真空室中或闭合所述狭缝以保持所述真空室为真空的，所述狭缝阀总成包括阀室，被设置成共用所述下腔室的一个侧壁；以及狭缝阀，设置于所述阀室中并用于打开/闭合所述狭缝。所述阀室可包括共用壁，形成有狭缝并被共用为所述真空室的一个侧壁及所述阀室的一个侧壁；以及阀壁，与所述共用壁间隔开并形成有闸门，所述闸门与所述狭缝相连通并容许所述基板进出。所述装置还可包括阀盖，可拆卸地耦合至所述共用壁的顶部及所述阀壁的顶部， 并形成密封的空间。所述阀盖可被设置成重物，以用于平衡由于所述上腔室的负载而施加至所述共用壁的弯矩(bending moment)及防止所述共用壁由于所述上腔室的所述负载而下垂。所述装置还可包括防下垂螺栓，紧固于所述阀壁与所述共用壁之间并防止所述共用壁由于所述上腔室而下垂。所述装置还可包括防下垂螺栓，耦合于所述阀盖与所述共用壁之间并防止所述共用壁由于所述上腔室而本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于平板显示器的化学气相沉积装置，所述装置包括：基座，用于支撑基板；真空室，在所述真空室中对所述基板执行沉积工艺，且所述真空室包括：柱通孔，形成于所述真空室的底部中心区域上并使用于向上/向下移动所述基座的柱穿过其中；以及真空抽吸端口，与所述柱通孔间隔开；以及真空抽吸控制单元，其与所述真空抽吸端口相连接并控制所述真空室中的抽吸位置。
【技术特征摘要】
2011.09.05 KR 10-2011-0089405;2011.09.16 KR 10-201.一种用于平板显示器的化学气相沉积装置，所述装置包括 基座，用于支撑基板； 真空室，在所述真空室中对所述基板执行沉积工艺，且所述真空室包括柱通孔，形成于所述真空室的底部中心区域上并使用于向上/向下移动所述基座的柱穿过其中；以及真空抽吸端口，与所述柱通孔间隔开；以及 真空抽吸控制单元，其与所述真空抽吸端口相连接并控制所述真空室中的抽吸位置。2.如权利要求I所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述真空抽吸控制单元包括 抽吸控制通道，具有大于所述真空抽吸端口的横截面积并与所述真空抽吸端口相连通；以及 抽吸控制盖，用于自上侧覆盖所述抽吸控制通道并以穿透方式形成有多个彼此间隔开的抽吸控制孔，以与所述抽吸控制通道相连通。3.如权利要求2所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述多个抽吸控制孔相对于穿过所述柱通孔及所述真空抽吸端口的参考线而对称地设置。4.如权利要求2所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述多个抽吸控制孔包括相对于穿过所述柱通孔及所述真空抽吸端口的参考线而对称地设置的两个抽吸控制孔。5.如权利要求2所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述抽吸控制通道自所述真空室的底部凹陷预定的深度。6.如权利要求5所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述抽吸控制通道具有关于穿过所述柱通孔及所述真空抽吸端口的参考线而对称的环形形状或U形形状其中之一。7.如权利要求5所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述抽吸控制盖包括 顶部，其上形成有所述多个抽吸控制孔；以及 侧部，自所述顶部延伸并向下弯曲。8.如权利要求7所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述侧部形成有自其底部凹陷预定深度的沟槽，以及 所述真空室的所述底部形成有肋，所述肋欲被插入于所述沟槽中。9.如权利要求8所述的化学气相沉积装置，还包括设置于所述沟槽与所述肋之间的O形环。10.如权利要求7所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述侧部形成有自其底部突出的插入突出部，以及 所述真空室的所述底部形成有插入孔，所述插入突出部强制配合于所述插入孔。11.如权利要求I所述的化学气相沉积装置，还包括基座支架，耦合至所述真空室中的所述柱，在其顶部的至少一个区域处被接触支撑于所述基座的后部上，并用于支撑所述基座的下侧，以防止所述基座下垂。12.一种用于平板显示器...
【专利技术属性】
技术研发人员：金荣敏，李春秀，权泰均，朴美星，郑元基，
申请(专利权)人：SFA工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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