一种低压热壁密集装片原子层淀积设备和工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种低压热壁密集装片原子层淀积设备和工艺，它包括一个反应组合气体交替脉冲气源、一个低压反应炉管、一个加热炉组、一个垂直于气流密集装片组和一个衬底片支架。该低压密集装片原子层淀积设备和工艺利用低压气体的涡流和原子层淀积的自限制生长，可实现低廉的大批量、均匀原子层淀积薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种原子层薄膜淀积设备和工艺，特别涉及一种低压热壁密集装片原子层淀积设备和工艺，属于薄膜淀积和应用领域。
技术介绍
常规的原子层淀积(Atomic Layer Deposition,简称ALD)设备和工艺,是一种通过气固反应淀积薄膜的技术。其中每一步淀积薄膜的生长过程都是自限制的。它的最大特点是每个步骤仅生长或吸附一个单原子层。因此原子层淀积设备和工艺在控制薄膜的均匀性、厚度以及薄膜组分等方面均有明显的优势。但是原子层淀积的生产批量小和成本高，成为实际使用中的最大障碍。常规的低压热壁密集装片化学气相淀积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,简称LPCVD)设备和工艺,也是一种通过气固反应淀积薄膜的技术。它的特点是采用低压热壁密集装片达到低成本和高产量的优点。但是在控制薄膜的均匀性、 厚度以及薄膜组分等方面没有自限制单原子层的特点，达不到日益增长的集成电路工艺的一些高要求。随着超大规模集成电路的快速发展，特别是进入深亚微米技术后，传统的薄膜设备和工艺出现了一系列的新问题，诸如深沟道比的填充，反应副产物的及时清除等。低压热壁密集装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低压热壁密集装片原子层淀积设备，其特征在于包括脉冲气源(101)、陪片(102)、衬底片(103)、反应管(105)、加热炉组(106)和衬底片密集支架(107)，所述反应管(105)位于加热炉组(106)内，反应管(105)采用热壁加热低压的反应炉管，加热炉组(106)为环形结构，可以是一段或多段控温以达到合理的温度分布；位于反应管(105)内的衬底片(103)采用密集装片的方式布置，各衬底片(103)平面相互平行放置于衬底片密集支架(107)上，相邻衬底片(103)之间的间隔为1？30毫米，各衬底片(103)的平面方向和反应气流的方向基本保持垂直；反应管(105)靠近气流入口处以及最远...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王季陶，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：