减少反应腔内杂质颗粒的方法和化学气相沉积设备技术

一种减少反应腔内杂质颗粒的方法和一种化学气相沉积设备。所述减少反应腔内杂质颗粒的方法，包括：提供反应腔；提供替换基片于所述反应腔内；在所述替换基片上及反应腔内壁形成覆盖层，所述覆盖层能吸附反应腔内的杂质颗粒。所述化学气相沉积设备，包括：反应腔和覆盖反应腔内壁的覆盖层，所述覆盖层对杂质颗粒有吸附作用。本发明专利技术能有效减少反应腔内的杂质颗粒的含量，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种减少反应腔内杂质颗粒的方法和一种化学气相沉积设备。
技术介绍
化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大部分的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。该工艺一般包含以下过程气体反应物通过对流和扩散到达衬底表面；衬底表面吸附气体分子，并发生反应，生成薄膜和气态副产物；气态副产物解吸并离开衬底表面，通过排气装置离开反应腔。其中金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD )技术作为化合物半导体材料研究和生产的手段， 它的高质量、稳定性、重复性及规模化为业界所看重。在超大规模集成电路的制造中，它主要用来沉积氮化钛，用作钨填充栓的阻挡层。由于在CVD薄膜的形成过程中，存在热分解等过程会形成副产物，而这一过程需要在反应腔内进行，使得所述副产物会在腔体内形成杂质颗粒，通常杂质会存在于形成的薄膜中，尤其对于金属膜，如氮化钛，其中的杂质含量会明显对其特性产生不良影响，从而影响整个集成电路中器件的性能。更多关于气相沉积的方法，请参考美国专利US20110086496A1的公开文件。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种减少本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减少反应腔内杂质颗粒的方法，其特征在于，包括：提供反应腔；提供替换基片于所述反应腔内；在所述替换基片上及反应腔内壁形成覆盖层，所述覆盖层能吸附反应腔内的杂质颗粒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜杰，姜国伟，牟善勇，赵高辉，高峰，任逸，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：