半导体器件，制造其的方法及发射极与杂质区电连接的IGBT技术
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】半导体器件，制造其的方法及发射极与杂质区电连接的IGBT
技术介绍
本申请涉及与半导体区域的电接触。对于许多已知的接触和势垒材料，如果所接触的半导体材料被低掺杂(例如低P掺杂)，则没有或没有理想的欧姆接触是可行的。在这种情况下，所研讨(persued)的欧姆接触展现为更像肖特基接触，包括所有其不利的特性，比如增加的接触电阻、温度依赖肖特基势垒和其它种类的电荷载流子的累积。在比如IGBT (绝缘栅双极晶体管)之类的半导体功率器件领域中，RC-1GBT (反向导通绝缘栅双极晶体管)、二极管、低掺杂硅发射极区域对于使能关于低开关损耗的足够的器件性能是有益的。合乎期望的是提供与发射极区的改进电接触并且提供其制造方法。
技术实现思路
根据实施例，一种半导体器件包括半导体主体，该半导体主体包括:第一导电类型的漂移区；第二互补导电类型的发射极区，其被配置为把电荷载流子注入到漂移区中；以及发射极电极。发射极电极包括与发射极区直接欧姆接触的金属硅化物层。发射极区的直接邻接金属硅化物层的部分中的净杂质浓度是最多I X 117 cm_3。根据实施例,在用于制造半导体器件的方法...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括半导体主体，所述半导体主体包括：第一导电类型的漂移区；第二互补导电类型的发射极区，被配置为把电荷载流子注入到漂移区中；以及发射极，包括与发射极区直接欧姆接触的金属硅化物层，其中发射极区的直接邻接金属硅化物层的部分中的净杂质浓度是最多1 x 1017 cm‑3。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：T古特，V科马尼茨基，D韦伯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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