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半导体器件，制造其的方法及发射极与杂质区电连接的IGBT。一种半导体器件包括半导体主体，该半导体主体包括：第一导电类型的漂移区；第二互补导电类型的发射极区，被配置为把电荷载流子注入到漂移区中；以及发射极电极。发射极电极包括与发射极区直接欧姆...
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