一种CVD反应腔体的清洁方法和系统技术方案

本发明专利技术公开了一种CVD反应腔体的清洁方法和系统，包括：将置于隔离片腔体内的隔离片转移至反应腔体内，并将隔离片覆盖于所述硅片承载台上，隔离片可抗强酸腐蚀；向反应腔体内通入清洁气体，以对CVD反应腔体进行清洁；清洁完成后，将隔离片转移至隔离片腔体内。当向反应腔体内通入清洁气体后，由于隔离片的阻隔，清洁气体不会腐蚀硅片承载台，从而延长了硅片承载台的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制作工艺，更具体的说是涉及一种CVD反应腔体的清洁方法和系统。
技术介绍
化学气相淀积(CVD, Chemical Vapor desposition)是通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积一层固体膜的工艺。在进行CVD工艺时，在反应腔体的内壁上也会淀积生成薄膜，为了避免反应腔体内壁上生成的薄膜对后续的工艺过程带来影响，需要清洁反应腔体内，以去除附着在反应腔体内壁上的杂质颗粒。在清洁CVD反应腔体内的杂质颗粒时，一般需要向反应腔体内通入清洁气体，并经过气体离子化，使气体离子与反应腔体内壁上附着的杂质颗粒进行反应，以便去除反应腔体内壁上附着的杂质颗粒。例如在对高密度等离子体化学气相淀积HDPCVD的反应腔体进行清洁时，可以通入含氟元素的气体，进行气体离子化，利用氟离子的弱酸性来清除反应腔体内壁上附着的杂质颗粒。但是现有的清洁反应腔体内的杂质颗粒方法，在清洁反应腔体的过程中，会明显降低硅片承载台的使用寿命，因此如何在保证清洁质量的同时，提高硅片承载台的使用寿命是本领域技术人员迫切需要解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种HDPCVD反应腔体的清洁方法和系统，在不降低硅片承载台使用寿命的前提下，能完成对反应腔体内杂质颗粒的清洁。为实现上述目的，本专利技术提供了一种CVD反应腔体的清洁方法，包括将置于隔离片腔体内的隔离片转移至反应腔体内，并将所述隔离片覆盖于所述硅片承载台上，所述隔离片可抗强酸腐蚀；向所述反应腔体内通入清洁气体，以对所述CVD反应腔体进行清洁；清洁完成后，将所述隔离片转移至所述隔离片腔体内。优选的，所述硅片承载台为静电卡盘。优选的，所述清洁气体为CF4或NF3。优选的，所述隔离片的面积与所述硅片承载台的面积相同。优选的，将置于隔离片腔体内的隔离片转移至反应腔体内，包括当检测到反应腔体内完成预设数量的硅片的CVD工艺后，将置于隔离片腔体内的隔离片至转移至反应腔体内。优选的，所述将置于隔离片腔体内的隔离片转移至反应腔体内，具体包括将隔离片腔体内的隔离片转移至硅片中转槽内，并将硅片中转槽内的隔离片转移至反应腔体内。本专利技术还提供了一种CVD反应腔体的清洁系统，包括反应腔体、以及置于所述反应腔体内的硅片承载台，还包括设置于所述反应腔体的硅片入口通道的前方的隔离片腔体，所述隔离片腔体，用于在反应腔体处于正常工作状态时，放置可抗强酸腐蚀的隔离片；转移单元，用于控制机械手将置于隔离片腔体内的隔离片转移至反应腔体内，并控制机械手将所述隔离片覆盖于所述硅片承载台上；清洁控制单元,用于控制启动所述反应腔体的气体入口，向所述反应腔体内通入清洁气体，以对所述CVD反应腔体进行清洁。优选的，所述清洁系统还包括与所述反应腔体的硅片入口相连的硅片中转槽；所述转移单元，具体用于控制机械手将隔离片腔体内的隔离片转移至硅片中转槽内，并将硅片中转槽内的隔离片转移至反应腔体内，并控制机械手将所述隔离片覆盖于所述硅片承载台上。优选的，该系统还包括检测单元，用于检测反应腔体内是否完成预设数量的硅片的CVD工艺，如果是，则执行所述转移单元的操作。优选的，所述转移单元，还包括隔离片移出单元，用于当清洁完成后，控制机械手将覆盖于所述硅片承载台上的隔离片移出反应腔体，并将所述隔离片转移至所述隔离片腔体内。经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本专利技术公开提供了一种CVD反应腔体的清洁方法和系统，该方法在通入清洁气体前，将置于隔离片腔体内的隔离片转移至反应腔体内，并将具有抗强酸腐蚀的隔离片覆盖于硅片承载台上，当向反应腔体内通入清洁气体后，由于隔离片的阻隔，清洁气体不会腐蚀硅片承载台，从而延长了硅片承载台的使用寿命。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图I为本专利技术一种CVD反应腔体的清洁方法的一个实施例的流程示意图；图2为本专利技术一种CVD反应腔体的清洁系统的一个实施例的结构示意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。现有技术中向反应腔体通入清洁气体对反应腔体进行清洁时，反应腔体内的硅片承载台的使用寿命也会明显缩短。专利技术人经研究发现，导致硅片承载台寿命缩短的原因是反应腔体内用于承载硅片的娃片承载台的表面有一层电介质，该电介质大多为有机材料或阳极氧化物，而向反应腔体内通入的清洁气体经气体离子化后，气体离子会呈酸性，因此在清洁气体与反应腔体内壁上附着的杂质颗粒进行反应的同时，清洁气体也会与承载硅片的硅片承载台发生反应，从而腐蚀硅片承载台，减少了硅片承载台的使用寿命。为了能减少对硅片承载台的腐蚀，一般会降低反应腔体内通入的清洁气体的浓度，进而在气体离子化之后，降低反应腔体内呈酸性的气体离子的浓度，这样虽然能在一定程度上减轻对硅片承载台的腐蚀，但是却不能从根本上避免对硅片承载台的腐蚀。同时，降低了清洁气体的浓度后，对反应腔体内的杂质颗粒的清洁力度，也会降低，进而可能会影响CVD工艺。若要解决以上问题，必须在不降低对反应腔体内杂质颗粒的清洁力度的前提下，从根本上避免对硅片承载台的腐蚀。 基于以上研究的基础上，本专利技术实施例公开了，一种CVD反应腔体的清洁方法，参见图1，本实施例的清洁方法包括以下步骤步骤101 :将置于隔离片腔体内的隔离片转移至反应腔体内，并将所述隔离片覆盖于所述硅片承载台上，所述隔离片可抗强酸腐蚀。为了在清洁过程中，防止反应腔体内的清洁气体对硅片承载台造成腐蚀，可以在向反应腔体内通入清洁气体前，将具有抗强酸腐蚀的隔离片覆盖在硅片承载台上。该隔离片具有抗强酸的特点，也不会与清洁气体发生反应生成其他的杂质。例如，进行HDPCVD工艺时，反应腔体内壁上可能会淀积一层含硅元素的杂质薄膜，为了去除反应腔体内的薄膜(或者说是附着的杂质颗粒)，可以向反应腔体内通入含氟的气体，并进行气体离子化，由于气体离子化后，反应腔体内具有酸性的氟离子气体浓度较大，就会对硅片承载台造成腐蚀，因此在通入清洁气体前，就可以在硅片承载台上覆盖隔离片。需要说明的是，该隔离片的面积可以根据需要进行设定，但考虑到实际工艺过程，该隔离片的面积应小于或等于硅片承载台的面积。优选的，该隔离片的面积与硅片承载台的面积相同。例如，对于8寸机台来说，可以将隔离片的面积与8寸机台中所用硅片的面积相同，即与8寸机台中的硅片承载台的面积相同。当反应腔体进行正常的CVD工艺时，该隔离片不能覆盖在硅片承载台上因此，在反应腔体不进行硅片隔离时，需要将隔离片置于隔离片腔体内，并在需要进行反应腔体清洁时，将隔离片从隔离片腔体中移出，并将隔离片转移至反应腔体内的硅片承载台上。该隔离片腔体位于反应腔体外部，与娃片中转槽相连，该娃片中转槽与反应腔体的娃片入口相连。硅片中转槽也成公共腔，是在进行CVD工艺时，用于将硅片转移至该硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CVD反应腔体的清洁方法，其特征在于，包括：将置于隔离片腔体内的隔离片转移至反应腔体内，并将所述隔离片覆盖于所述硅片承载台上，所述隔离片可抗强酸腐蚀；向所述反应腔体内通入清洁气体，以对所述CVD反应腔体进行清洁；清洁完成后，将所述隔离片转移至所述隔离片腔体内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱晓军，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：