用于将电力供应给CVD反应器的设备和方法技术

描述了用于将电压施加到CVD反应器中的多个硅棒(51-54)的一种设备和一种方法以及一种CVD反应器。所述设备具有：串联连接，其中硅棒可作为电阻器插入；至少一第一电源单元(12)；至少一第二电源单元(14)；至少一第三电源单元(16)；以及至少一控制单元，控制单元能够经由第一电源单元、第二电源单元或第三电源单元将电压施加到串联连接中的硅棒。第一电源单元具有多个第一变压器(21-24)，第一变压器的输出端各自与串联连接中的一个硅棒连接且其中第一变压器具有第一开路电压和第一短路电流。第二电源单元具有多个第二变压器(31-32)，第二变压器的输出端连接到串联连接中的与第一变压器数量相同的硅棒，与第一变压器中的一个或多个第一变压器并联，且其中第二变压器具有第二开路电压和第二短路电流，其中第二开路电压低于第一开路电压且第二短路电流高于第一短路电流。第三电源单元具有与串联连接中的硅棒连接、与第一变压器和第二变压器并联的输出端，且其中第三电源单元能够提供电压范围低于第二变压器的开路电压的电流，所述电流高于第二变压器的短路电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于将电压施加到CVD反应器中的多个硅棒的一种方法和一种设备，所述硅棒串联连接。
技术介绍
在半导体技术和光伏产业中，已知晓生产具有高纯度的硅棒的方法，例如，根据沉积反应器的西门子方法(Siemens method),所述沉积反应器也称为CVD反应器(CVD =化学气相沉积)。在此过程中，最初细硅棒容纳在反应器中，硅在沉积过程中沉积在所述反应器上。细硅棒容纳在夹持和接触设备中，所述设备按照所需定向固持细硅棒并且还对其提供电接触。在它们各自的自由末端处，细硅棒通常经由导电脊(ridge)而连接，从而允许电路经由接触元件而闭合，所述接触元件布置在反应器的同一侧上。或者，也可能在它们的相对末端处接触细硅棒，即从上方和从下方,从而能够通过细硅棒传导电流。一对经由导电桥而 连接的细硅棒，以及在它们的相对末端处接触的细硅棒，为了简化都称为硅棒。将硅棒加热到预定温度，在此温度下硅从蒸气或气相中沉积到硅棒上。在此过程中，通过电流的流动(其电压基本上预定)，借助于电阻加热而实现加热。沉积温度通常在900-1350摄氏度的范围内，并且尤其在约1100摄氏度，但也可以在其他温度。由于硅棒最本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：威尔佛莱德·福玛，
申请(专利权)人：山特森西特股份有限公司，
类型：
国别省市：