用于在CVD反应器外部点燃硅棒的方法和设备技术

描述了一种用于在CVD反应器外部点燃硅棒的方法和装置，所述方法和装置用于制备在CVD反应器中得到后续处理的硅棒。在所述方法中，将硅棒安置在点燃装置内部，并且通过第一电源单元将第一电压施加到所述硅棒，其中所述电压足以点燃所述硅棒。随后，可选地，可通过电流并且/或者通过外部加热单元将所述硅棒加热至预定温度范围内的温度。随后，所述硅棒从所述点燃装置中移除，并且可暴露于CVD反应器内部的沉积工艺中。在CVD反应器外部点燃硅棒有利于使硅棒在沉积工艺过程中重新点燃。所述装置包括套管，所述套管具有用于容纳至少一根硅棒的腔室。在所述腔室中，布置了至少一对接触电极，以固持所述接触电极之间的至少一根硅棒。此外，设置了具有至少一个变压器的第一电源单元，其中所述变压器的每个输出端各自连接到一对接触电极中的一个接触电极。所述变压器包括足够高的开路电压，以预置所述硅棒中的电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于在CVD反应器外部点燃(ignite)硅棒的方法和设备，以及一种用于在硅棒上沉积硅的方法和设备。
技术介绍
在半导体和光伏领域中，已知(例如)可在亦称作CVD反应器的沉积反应器中根据西门子法(Siemens method)来生成高纯度娃棒。在此方法中，首先将细娃棒放置在反应器中。随后，硅在沉积工艺过程中沉积到这些细硅棒上，从而生成较粗硅棒。所述硅棒首先夹持在夹紧和接触装置中，其中这些夹紧和接触装置使得硅棒保持在所需方位并为所述硅棒提供电接触。所述硅棒中的两根硅棒在二者的自由末端处分别通过导电桥或由硅材料制成的桥而连接起来，从而经由位于反应器同一侧的接触装置而形成电路。然而，还可使所述硅棒在其相对的末端处发生电接触，即，在上方以及在下方发生电接触。所述硅棒被加热至预定处理温度，在此温度下蒸气或气相中的硅沉积到硅棒上。在沉积工艺过程中，通过预定电压下的电流以电阻加热的方式来加热所述硅棒，如果合适，还可通过外部加热单元来加热所述硅棒。沉积温度通常处于900°C与1200°C之间，并且尤其处于约1100°C。然而，沉积温度还可以是另一温度。开始时，硅棒具有高电阻。为了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.23 DE 102010032103.6;2010.08.09 US 61/371,1.一种用于在CVD反应器外部点燃硅棒的方法，用以制备在CVD反应器中得到后续处理的硅棒，其特征在于，所述方法包括以下步骤: 将硅棒安置在点燃装置中； 通过第一电源单元将第一电压施加到所述硅棒，其中所述电压足以点燃所述硅棒； 通过所述第一电源使所述硅棒导通电流，从而将所述硅棒加热至预定温度范围内的温度；以及 从所述点燃装置中移除所述硅棒。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅棒周围的气体氛围形成于所述点燃装置中，其中所述气体氛围的组成使得所述气体与所述硅棒在点燃和加热过程中不发生反应。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述气体氛围大体上由N2、H2、惰性气体或这些气体中的两种或两种以上气体的混合物组成。4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述硅棒被加热至400°C到700°C范围内的温度，并且优选为加热至450°C到600°C范围内的温度。5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述硅棒至少有一部分是由加热装置来加热，所述加热装置与所述硅棒间隔开。6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述第一电压处于8千伏到15千伏的范围内。7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其特征在于，多根硅棒安置在所述点燃装置中，并且其中所述多根硅棒同时或顺次连接到所述第一电压，以点燃所述硅棒并可选地加热所述硅棒。8.一种用于在娃棒上沉积娃的方法，其特征在于，所述方法包括根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，随后所述用于在硅棒上沉积硅的方法具有以下步骤: 将多根之前经历过点燃且可选地得到加热的硅棒安置在CVD反应器中； 通过第二电源单元，将第二电压施加给所述硅棒中的每一者，从而点燃所述CVD反应器内部的所述硅棒； 将第三电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：威尔佛莱德·福玛，
申请(专利权)人：山特森西特股份有限公司，
类型：
国别省市：