钟罩清洁化方法、多晶硅的制造方法以及钟罩用干燥装置制造方法及图纸

钟罩具备金属性钟罩(1)和用于设置该钟罩(1)的金属性基板(2)，通过填料(3)使容器内部密闭。在基板(2)上连接压力计(4)、气体导入管路(5)、气体排气管路(6)，使钟罩(1)的内部压力的监测以及气体的导入和排气成为可能。在气体排气管路(6)的路线上设置真空泵(7)，通过该真空泵(7)，以使钟罩的内部压力低于水的蒸气压的方式进行减压。通过该真空泵(7)，以使钟罩的内部压力低于水的蒸气压的方式进行减压，由此有效地进行水分除去，在短时间内结束钟罩的干燥。通过本发明专利技术，提供提高钟罩内表面的清洁度从而有助于高纯度多晶硅的制造的技术。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于多晶硅的制造的钟罩的清洁化技术，更详细而言，涉及能够有效地除去成为多晶硅中混入杂质的原因的钟罩内壁面的水分的方法以及装置。
技术介绍
高纯度多晶硅是半导体器件制造用单晶硅基板和太阳能电池制造用原料。高纯度多晶硅通常通过如下方法(西门子法)分批式地制造，即通过热分解或氢还原使作为原料气体的含硅反应气体形成高纯度硅，并使其在细的硅丝棒上析出。其中，作为含硅反应气体，使用单硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷等气体、和通常用SiHnX4_n(n=0、l、2、3，X=Br> I)标记的卤素气体。 用于制造高纯度多晶硅的通常的析出反应容器，由金属性底板(基板)和设置于该基板上的金属性钟罩构成，钟罩的内部成为反应空间。析出反应容器必须是能够冷却、并且能够将钟罩内部的气体密闭的容器。这是由于，上述反应气体具有腐蚀性，而且具有与空气混合弓I起起火和爆炸的倾向。然而，在利用析出反应容器进行多晶硅的析出反应时，在CVD工艺中，通过均匀成核工艺形成无定形的硅灰，硅在析出反应容器的内表面附着等。该硅灰含有高水平的污染物质，在作为制品的多晶硅上沉积，从而造成表面缺陷和污染(参照日本特开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑泽靖志，小黑晓二，黑谷伸一，祢津茂义，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：
国别省市：