用于多晶硅沉积的系统和方法技术方案

本发明专利技术公开了一种用于从含有至少一种硅前体化合物的气体来制造多晶硅的方法。该方法可以在化学气相沉积系统中从含有多晶硅前体化合物的气体实现，包括：在化学气相沉积反应室中建立气体的第一流型，促进至少一种前体化合物的至少一部分从具有第一流型的气体反应成多晶硅，在反应室中建立气体的第二流型，以及促进至少一种前体化合物的至少一部分从具有第二流型的气体反应成多晶硅。该化学气相沉积系统可以包括气体源，气体源包含含有至少一种前体化合物的气体；至少部分地由底板和钟罩限定的反应室；设置在底板和钟罩之一中的第一喷嘴组，第一喷嘴组通过第一歧管和第一流量调节器与气体源流体连接；第二喷嘴组，第二喷嘴组包括设置在底板和钟罩之一中的多个喷嘴，多个喷嘴通过第二歧管和第二流量调节器与气体源流体连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及多晶硅沉积用的系统和方法，尤其是涉及在例如化学气相沉积(CVD)工艺中具有牵连到多个进给喷嘴的分阶段进给操作的多晶硅沉积用的系统和方法。2.相关技术的讨论Schweickert等人,在美国专利No. 3，011, 877中，公开了用于电气用途的高纯度半导体材料的生产。 Bischoff,在美国专利No. 3，146, 123中，公开了一种制造纯娃的方法。Sandmann等人,在美国专利No. 3, 286, 685中，公开了一种热解生产纯的半导体材料(优选硅)的方法和设备。Yatsurugi等人,在美国专利No. 4，147，814中，公开了一种制造具有均勻截面形状的高纯度硅棒的方法。Garavaglia等人,在美国专利No. 4, 309, 241中，公开了半导体的气帘式连续化学气相沉积生产。Rogers等人,在美国专利No. 4, 681, 652中，公开了多晶娃的制造。Nagai等人，在美国专利No. 5，382，419中，公开了用于半导体应用的高纯度多晶娃棒的生产。Keck等人，在美国专利No. 5，545，387中，公开了用于半导体应用的高纯度多晶硅棒的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦文军，
申请(专利权)人：GTAT有限公司，
类型：
国别省市：