一种新型多晶硅还原炉高压启动装置制造方法及图纸

一种新型多晶硅还原炉高压启动装置，主要针对硅芯排布为含有4对一组的还原炉，用于西门子法多晶硅生产的硅芯启动击穿阶段。主要由两种不同电压等级的升压变压器、电抗器、接触器、熔断器、电流检测装置、PLC控制单元以及电动接地刀闸和接地电阻构成。所需要高压击穿的硅芯直接与升压变压器的输出相连无需切换或隔离开关，电流检测装置检测到的电流值送给PLC单元，PLC根据所检测的电流控制接触器和电动接地刀闸的动作。启动时，先对每对硅芯施加高电压等级的高压，待电流上升至变压器的最大输出电流后切换到低电压等级的变压器，此时每两对硅芯施加低电压等级的高压，使电流继续上升至稳定后切换至正常电源供电，高压启动完成。此后，该4对硅芯作为加热源，使用正常电源即可将其余硅芯全部击穿，从而进入正常生产阶段。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种新型多晶硅还原炉高压启动装置，用于西门子法多晶硅生产的硅芯击穿启动阶段。二
技术介绍
目前，国内高压启动系统一般都为升压变压器原边晶闸管移相控制来控制高压启动过程中的电流大小，同时都有一台为高压启动装置提供电源的专用变压器和一套隔离柜用于断开高压启动时与正常电源的连接，该方案不仅控制方法复杂，需要晶闸管触发模块，而且还需要专用变压器和大量的高压开关柜，占用较大用地面积及投资成本。另一方面，国内一般高压启动为每对硅芯单独隔离供电，当其中硅芯电极绝缘被击穿后从电流变化上无法判断是硅芯被击穿还是电极被破坏，如果不及时关闭电源会使电极及还原炉底盘遭受更加严重的破坏。三
技术实现思路
本技术提供一种新型多晶硅还原炉高压启动装置。主要针对一组4对硅芯进行高压击穿的多晶硅还原炉高压启动装置，该装置直接使用还原炉工艺变压器二次侧电源升压为高压启动电源，通过其方法在保证高低压电源的安全隔离前提下将负载硅芯直接连接到升压变压器的输出上，节省大量的高压开关柜；并且控制方法由变压器原边晶闸管控制变为接触器控制，简化控制方案，同时还能检测出还原炉电极在高压启动的过程中是否有被击穿。本技术解决其技术问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型多晶硅还原炉高压启动装置，它包括顺序连接的电抗器，变压器，控制开关，其特征在于：两种不同电压等级的单相升压，采用同名端相联的方式直接连接到负载硅芯上，在硅芯负载首末端连接有接地电阻和接地刀闸；每对硅芯对应一台高电压等级的升压变压器，每两对硅芯对应一台低电压等级升压变压器，高电压等级升压变压器原边串联电抗器，低电压等级升压变压器为高短路阻抗变压器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉泉，刘建中，胡俊辉，刘松林，叶军，李波，邓飞，
申请(专利权)人：陕西天宏硅材料有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：