一种多晶硅还原炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多晶硅还原炉，属于多晶硅生产技术领域。所述多晶硅还原炉的炉盘上，设置有导流隔热罩为进入还原炉的物料提供导流的空间，使物料能够强制上升到炉筒内的顶部。本实用新型专利技术的一种多晶硅还原炉，能够在反应中为多晶硅棒上下部都提供充足的物料进行反应并维持合适的温度，避免产生玉米花状多晶硅和熔断现象，同时还能够达到还原炉的节能降耗目的。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种多晶硅还原炉，属于多晶硅生产

技术介绍
在“改良西门子法”多晶娃生产技术中,气态氯娃烧在多晶还原炉中和氢气还原为多晶硅，氯硅烷和氢气按照一定的配比，从还原炉底部的炉盘上的进气喷嘴进入炉筒内，混合气体在装夹在电极对上的硅芯上高温进行还原后，未反应的尾气又从炉盘中央的尾气出口排出，进入下一工序。 还原反应是吸热反应,需要大量的热量来维持,但是由于还原炉的炉筒内壁温度超过200°C后，就会沉积硅油，严重影响炉壁对热量的反射，而且还原炉筒材质是不耐高温的不锈钢，为了保护炉筒不被损坏，也为了避免产生硅油，一般采用在炉筒壁的夹套中通入大量的水来冷却炉筒，一方面不停的加载电流来维持硅芯上反应所需温度，一方面又不断通入冷却水带走热量，这不可避免的导致还原电耗增高。在还原炉中，气态氯硅烷和氢气是靠物料自身的压力喷入还原炉内，到炉顶后再折返，现有依靠喷嘴使物料气流喷高的方法，经过模拟计算及生产实际的验证，实际只能将气流喷到I米的高度，而硅棒高度一般在2. 2米至2. 8米之间，同时由于进气喷嘴和尾气出口都位于还原炉炉盘上，使得部分气流直接从压力低的尾气口流出而未喷到炉顶处，这导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅还原炉，包括有炉盘（1），炉筒（4），设置于炉盘（1）上的电极对（3）、进气喷嘴（5）和尾气出口（6），其特征在于：所述炉盘（1）的中部，设置有圆筒结构的导流隔热罩Ⅰ（2）；所述电极对（3）和进气喷嘴（5）均设置在导流隔热罩Ⅰ（2）外侧的炉盘（1）上；所述尾气出口（6）设置在炉盘（1）上，且位于导流隔热罩Ⅰ（2）内侧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐予晗，
申请(专利权)人：四川瑞能硅材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：