【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多晶硅生产
，特别是涉及一种用于多晶硅还原炉的底盘组件。
技术介绍
多晶娃还原炉是多晶娃生广中广出最终广品的核心设备，也是决定系统广能、能耗的关键环节。因此，多晶硅还原炉的设计和制造，直接影响到产品的质量、产量和生产成本。随着全球经济危机的影响下，多晶硅的价格持续下降，产业利润不断被压缩，市场竞争日趋激烈。因此，有效地降低多晶硅能耗，提高产品质量，提高生产效率，是目前多晶硅生产企业需要解决的重要问题。目前生产多晶硅主要采用“改良西门子法”，通常将一定配比的三氯氢硅(SiHC13) 和氢气(H2)混合气从底部进气口喷入,在还原炉内发生气相还原反应,反应生成的娃(Si) 直接沉积在炉内的硅芯表面，随着反应的持续进行，硅棒不断生长最终达到产品要求。由于还原炉内部硅芯需要维持在I050°c -iioo°c进行生产，外部用冷却夹套进行冷却，因此，使用12对棒、18对棒等还原炉生产多晶硅还原能耗大，生产成本高，已经不适应目前激烈市场竞争的要求，迫切需求一种能够节能降耗的新型还原炉的出现。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决上述技术问题之一。为此，本专利技术...
【技术保护点】
一种用于多晶硅还原炉的底盘组件，其特征在于，包括：底盘本体；二十四对电极，所述二十四对电极设在所述底盘本体上且分别分布在第一至第四圈上，所述第一至第四圈为以所述底盘本体的中心为中心且由内向外依次增大的四个同心正八边形；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘本体中部的多个进气口；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘本体上且位于所述第四圈与所述底盘本体的外周沿之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：严大洲，肖荣晖，毋克力，汤传斌，汪绍芬，姚心，
申请(专利权)人：中国恩菲工程技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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