多晶硅还原炉制造技术

技术编号:8308147 阅读:209 留言:0更新日期:2013-02-07 15:23
本实用新型专利技术公开了一种多晶硅还原炉,包括:炉壳体,其底部设置有底盘,底盘上开设有多个电极孔、至少一进气孔和至少一出气孔,其中,电极孔以进气孔为中心呈正多边形排列,电极孔位于正多边形的顶点;多个电极,分别设于电极孔中,电极上连接有硅棒;至少一进气管,连接于进气孔;至少一出气管,连接于出气孔。本多晶硅还原炉由于混合气进气管位于电极组成的正多边形中心,混合气出气管均匀分布在底盘上,所以工艺气体能均匀地扩散到正多边形顶点的硅棒表面,生成的多晶硅也更加均匀。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种多晶硅还原炉
技术介绍
目前,国内多晶硅企业大多使用“西门子改良法”工艺生产多晶硅,该多晶硅材料经单晶炉或铸锭炉处理后,用于制作太阳能电池切片,是太阳能光伏产业链的重要原材料。“西门子改良法”是将高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后通入多晶硅还原炉内,在1080摄氏度左右的温度和一定的压力作用下,在高温硅棒表面沉积反应生成多晶硅的工艺。目前采用“西门子改良法”生产多晶硅的主要设备为12对棒、18对棒、24对棒、36对棒还原炉。由于还原炉内硅棒表面反应温度高达1080摄氏度左右,而设备金属材质耐受温度有限,故需要用冷却水对设备进行冷却。虽然多晶硅设备从12对棒开始发展,出现了·18对棒、24对棒以及现有最大的36对棒还原炉,其产量在增加,能耗也在降低,但在新的市场形势及大化工的要求下需要能够提供更高产量和更低能耗的还原炉设备。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本技术提供了一种多晶硅还原炉,包括炉壳体,其底部设置有底盘,上述底盘上开设有多个电极孔、至少一进气孔和至少一出气孔,其中,上述电极孔以上述进气孔为中心呈正多边形排列,上述电极孔位于上述正多边形的顶点;多个电极,分别设于上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅还原炉,其特征在于,包括:炉壳体,其底部设置有底盘,所述底盘上开设有多个电极孔、至少一进气孔和至少一出气孔,其中,所述电极孔以所述进气孔为中心呈正多边形排列,所述电极孔位于所述正多边形的顶点;多个电极,分别设于所述电极孔中,所述电极上连接有硅棒;至少一进气管,连接于所述进气孔;至少一出气管,连接于所述出气孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴海龙程佳彪张华芹周积卫茅陆荣
申请(专利权)人:上海森松新能源设备有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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