一种单晶样片制样机制造技术

技术编号:15721971 阅读:144 留言:0更新日期:2017-06-29 03:38
本发明专利技术公开了一种单晶样片制样机,包括载物平台、研磨驱动机构、升降机构;载物平台边缘设置三组用于固定样片的卡爪和压片;研磨驱动机构设置在载物平台上方,该研磨驱动机构上设有五个研磨头,相对于安装在载物平台上的样片,其中一个研磨头设置在样片的中心位置,其余四个研磨头均匀分布在样片的边缘位置;通过升降机构调节研磨头的上下位置。本发明专利技术的单晶样片制样机可以实现对单晶样片进行多点位同时研磨处理,加工位置与表面质量符合四探针测试要求,通过调整研磨头位置可以对适应多种不同直径单晶样片要求。制样加工与更换工装方便迅速,省时高效。同时避免使用喷砂机,减少粉尘危害作业员健康。

A prototype for single crystal sample

The invention relates to a single crystal sample preparation machine is disclosed, including loading platform, grinding driving mechanism, lifting mechanism; the loading platform is arranged at the edge of three groups of samples used for fixing claw and pressing; the driving mechanism is arranged in the grinding loading platform above the ground drive mechanism is provided with five grinding head, mounted on the carrier with respect to on the platform of material samples, one grinding head is arranged in the center position of the sample, the remaining four grinding heads are uniformly distributed in the sample edge position; adjusting the grinding head through the lifting mechanism, the upper and lower positions. The invention of the single crystal sample system prototype can realize the multi point simultaneous grinding processing of single crystal samples, processing location and surface quality in line with the four probe testing requirements, by adjusting the position of the grinding head can adapt to a variety of single crystal samples with different diameter requirements. Sample preparation and replacement of tooling are convenient, quick, time-saving and efficient. At the same time avoid using sand blasting machine, reduce dust, endanger the health of operators.

【技术实现步骤摘要】
一种单晶样片制样机
本专利技术涉及一种单晶样片制样机,适用于5-12英寸单晶拉制后取样检测单晶电阻率的过程,属于半导体材料晶圆制造

技术介绍
在半导体单晶生产中,必须要测定单晶头尾或是单晶段头尾电阻率和电阻率均匀性。通常是从单晶头尾一定厚度样片,通过四探针测定硅片表面特定方位的电阻率,来评判单晶质量。四探针测量需要测量区域相对平整粗糙度适中,探针和硅材料形成完美的金半接触。在加工厂中直接切割的样片无法直接测试,硅片研磨表面最适合做测试,但单晶样片边缘未经处理,研磨设备无法进行加工。通常生产厂制样时使用干法喷砂打毛测试表面,制样在喷砂机中完成,喷砂过程会形成严重粉尘污染,影响作业人员健康。另外喷砂表面不容易做到平整均匀,影响测试数据的准确性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种单晶样片制样机,适用于5-12英寸单晶拉制后取样检测单晶电阻率的过程。为实现上述目的,本专利技术采取以下技术方案:一种单晶样片制样机,包括载物平台、研磨驱动机构、升降机构;载物平台边缘设置三组用于固定样片的卡爪和压片;研磨驱动机构设置在载物平台上方,该研磨驱动机构上设有五个研磨头,相对于安装在载物平本文档来自技高网...
一种单晶样片制样机

【技术保护点】
一种单晶样片制样机,其特征在于,包括载物平台、研磨驱动机构、升降机构;载物平台边缘设置三组用于固定样片的卡爪和压片;研磨驱动机构设置在载物平台上方,该研磨驱动机构上设有五个研磨头,相对于安装在载物平台上的样片,其中一个研磨头设置在样片的中心位置,其余四个研磨头均匀分布在样片的边缘位置;通过升降机构调节研磨头的上下位置。

【技术特征摘要】
1.一种单晶样片制样机,其特征在于,包括载物平台、研磨驱动机构、升降机构;载物平台边缘设置三组用于固定样片的卡爪和压片;研磨驱动机构设置在载物平台上方,该研磨驱动机构上设有五个研磨头,相对于安装在载物平台上的样片,其中一个研磨头设置在样片的中心位置,其余四个研磨头均匀分布在样片的边缘位置;通过升降机构调节研磨头的上下位置。2.根据权利要求1所述的单晶样片制样机,其特征在于,所述升降机构由手轮和齿条组合控制,该手轮外缘设有多个加重点,用来加载砝码,控制研磨压力。3.根据权利要求1所述的单晶样片制样机,其特征在于,所述研磨头的直径为1-2cm,研磨加工面积大于四探针测试探头面积。4.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:边永智程凤伶盛方毓宁永铎鲁进军徐继平
申请(专利权)人:有研半导体材料有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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