【技术实现步骤摘要】
:本技术涉及制备晶体
,具体涉及一种用于单晶制备过程中的PBN坩祸固定底座。
技术介绍
:PBN,即热解氮化硼,由硼原子和氮原子构成六方氮化硼层,层与层堆放在一起,具有较好的挠曲强度,较高的抗压强度,较高的破裂阻力,高温条件下机械性能增强,无毒,不与其他酸、碱、有机物、熔融金属或石墨反应,因此PBN坩祸被广泛地用作单晶生长的反应容器。在原料融化和单晶生长过程中,熔体和坩祸长时间接触会产生粘连现象。在单晶生长完毕后,需要进行脱模处理,即将PBN坩祸与坩祸内的晶体分离开。脱模的操作流程为:把PBN坩祸平放入恒温的甲醇炉,使整个坩祸完全浸泡在甲醇中,直至晶体与坩祸可完全分离。由于PBN坩祸一种陶瓷材料制品,容易出现裂纹,在脱模过程中,PBN坩祸会与甲醇槽有直接的接触,因此可能会对PBN坩祸造成不同程度的损坏。
技术实现思路
:为了解决上述技术问题,本技术提出一种用于单晶制备过程中的PBN坩祸固定底座,PBN坩祸固定底座对PBN坩祸进行有效地固定,减少应力对PBN坩祸的损伤,降低甲醇炉对PBN坩祸的磨损,从而延长PBN坩祸的使用寿命,节省生产成本。本技术的技术方案是:一种用于单晶制备过程中的PBN坩祸固定底座包括底座基体,所述的底座基体为前后两面平行的四棱台,底座基体的上端面为与PBN坩祸底面形状相吻合的弧面凹槽,弧面凹槽截面弧形所在圆的直径与PBN坩祸的外径相同,底座基体的宽度略大于坩祸的直径,底座基体的长度为PBN坩祸等径部分长度的3/4,弧面凹槽凹面与底座基体的侧面成圆角过渡。本技术具有如下有益效果:1、本新型能够有效固定PBN坩祸,防止PBN坩 ...
【技术保护点】
一种用于单晶制备过程中的PBN坩埚固定底座,包括底座基体(1),其特征在于:所述的底座基体(1)为前后两面平行的四棱台,底座基体(1)圆角的上端面为与PBN坩埚底面形状相吻合的弧面凹槽(2),弧面凹槽(2)截面弧形所在圆的直径与PBN坩埚的外径相同,底座基体(1)的宽度略大于坩埚的直径,底座基体(1)的长度为PBN坩埚等径部分长度的3/4,弧面凹槽(2)凹面与底座基体(1)的侧面成圆角(3)过渡。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:于会永,
申请(专利权)人:大庆佳昌晶能信息材料有限公司,
类型:新型
国别省市:黑龙江;23
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