本实用新型专利技术提出一种分体式VGF法单晶生长工艺用坩埚托。氯化钇稳定氧化锆材质的坩埚托主体（1）被沿轴向加工成了均匀的三瓣，当三瓣儿组合成一个圆柱体时，每两瓣之间会有极微小的间隙，坩埚托主体（1）的下部加工有外锥面，通过外锥面安放在坩埚托主体座（2）的内锥面上，这种设计保证了坩埚的对中性，坩埚托主体座（2）的底部加工有外止口，其外止口插入石英管（4）的内孔中定位，石英管（4）的内部充满保温棉（5），石英管的外面套有氧化铝管（3），氧化铝管（3）的上端面辅助支撑坩埚托主体（1）的下端的环状凸台，多层保温结构设计，增加径向保温性，上述设计减小了坩埚托的热应力变形，提高了坩埚托的使用寿命，降低了生产成本。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提出一种分体式VGF法单晶生长工艺用坩埚托。氯化钇稳定氧化锆材质的坩埚托主体（1）被沿轴向加工成了均匀的三瓣，当三瓣儿组合成一个圆柱体时，每两瓣之间会有极微小的间隙，坩埚托主体（1）的下部加工有外锥面，通过外锥面安放在坩埚托主体座（2）的内锥面上，这种设计保证了坩埚的对中性，坩埚托主体座（2）的底部加工有外止口，其外止口插入石英管（4）的内孔中定位，石英管（4）的内部充满保温棉（5），石英管的外面套有氧化铝管（3），氧化铝管（3）的上端面辅助支撑坩埚托主体（1）的下端的环状凸台，多层保温结构设计，增加径向保温性，上述设计减小了坩埚托的热应力变形，提高了坩埚托的使用寿命，降低了生产成本。【专利说明】—种分体式VGF法单晶生长工艺用坩埚托
本技术涉及VGF法单晶生长工艺用坩埚托技术，具体涉及一种分体式VGF法单晶生长工艺用坩埚托。
技术介绍
VGF法单晶生长工艺中，装有多晶料的安瓿瓶在坩埚托的支撑下固定于炉体中心位置，由于炉体与安瓿瓶没有相对运动，故必须保持坩埚托主体、安瓿瓶、坩埚、炉体的严格对中性；坩埚托主体与安瓿瓶的接触位置在放肩部分，其对籽晶及放肩部分的温场影响十分显著；此外由于晶体生长温度较高且工艺过程时间长，因而要求坩埚托主体材质高温性能十分稳定；因而坩埚托主体结构的设计，在VGF法单晶生长工艺中选择显得尤为重要，要求坩埚托主体具有较高的热稳定性，较小的变形。原有的坩埚托主体均为整体式，受热时内应力会导致坩埚托主体变形，对单晶的质量有很大影响，同时坩埚托主体和安瓿瓶的材质相同，容易粘连，重复使用性几乎为零。
技术实现思路
本技术针对技术背景中提出的问题，设计一种分体式VGF法单晶生长工艺用坩埚托，该坩埚托主体采用氯化钇稳定氧化锆材质，高温性能稳定，和安瓿瓶不产生高温粘连，且该坩埚托主体打破现有坩埚托主体整体设计的方式，采用将坩埚托主体设计三瓣形式，这种设计减小了坩埚托的热应力变形，提高了坩埚托的使用寿命，降低了生产成本。 本技术的技术方案是:一种分体式VGF法单晶生长工艺用坩埚托包括坩埚托主体，坩埚托主体沿轴向上分成均匀的三瓣，三瓣儿组合成一个圆柱体，相邻两瓣之间有间隙，坩埚托主体上部内壁的形状与坩埚的形状相吻合，坩埚托主体的下部加工有外锥面，通过外锥面安放在坩埚托主体座的内锥面上，坩埚托主体座的底部加工有外止口，其外止口插入石英管的内孔中定位，石英管的内部充满保温棉，石英管外套有氧化铝管，氧化铝管的上端面与坩埚托主体底端面的外沿相触。 本技术具有如下有益效果:(I)坩埚托分体式设计，有效的减小了内应力引起的变形、开裂，提高了使用寿命；(2)坩埚托主体底部锥面设计，能够使坩埚托主体的三瓣结合紧密，同时提高了对中性。(3)重复利用率高，节约生产成本。 【专利附图】【附图说明】: 附图1是本技术组装图的主视图； 附图2是本技术组装图的俯视图。 图中1-坩埚托主体，2-坩埚托主体座，3-氧化铝管，4-石英管，5-保温棉。 【具体实施方式】: 下面结合附图对本技术作进一步说明: 如图1和图2所示，该分体式VGF法单晶生长工艺用坩埚托包括坩埚托主体1，坩埚托主体I被沿轴向加工成了均匀的三瓣，可有效释放内应力，减少变形及开裂，当三瓣儿组合成一个圆柱体时，相邻两瓣之间会有微小的间隙，微小间隙的存在有效的抵消了受热变形；坩埚托主体I的下部加工有外锥面，通过外锥面安放在坩埚托主体座2的内锥面上，使坩埚托主体各部分进行紧密连接，同时提高对中性；坩埚托主体座2的底部加工有外止口，其外止口插入石英管4的内孔中定位，石英管4的内部充满保温棉5，石英管4的外面套有氧化铝管3，氧化铝管3的上端面与坩埚托主体I底端面的外沿相触。氧化铝管3的上端面辅助支撑坩埚托主体I的下端面上的环状凸台，保证了其稳定性。【权利要求】1.一种分体式VGF法单晶生长工艺用坩埚托，包括坩埚托主体(I)，其特征在于:坩埚托主体(I)沿轴向上分成均匀的三瓣，三瓣儿组合成一个圆柱体，相邻两瓣之间有间隙，坩埚托主体(I)上部内壁的形状与坩埚的形状相吻合，坩埚托主体(I)的下部加工有外锥面，通过外锥面安放在坩埚托主体座(2)的内锥面上，坩埚托主体座(2)的底部加工有外止口，其外止口插入石英管(4)的内孔中定位，石英管(4)的内部充满保温棉(5)，石英管(4)外套有氧化铝管(3 )，氧化铝管(3 )的上端面与坩埚托主体(I)底端面的外沿相触。【文档编号】C30B11/00GK203960388SQ201420351891【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年6月29日 优先权日:2014年6月29日 【专利技术者】徐兰兰, 张学锋, 王玉辰 申请人:大庆佳昌晶能信息材料有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种分体式VGF法单晶生长工艺用坩埚托，包括坩埚托主体（1），其特征在于：坩埚托主体（1）沿轴向上分成均匀的三瓣，三瓣儿组合成一个圆柱体，相邻两瓣之间有间隙，坩埚托主体（1）上部内壁的形状与坩埚的形状相吻合，坩埚托主体（1）的下部加工有外锥面，通过外锥面安放在坩埚托主体座（2）的内锥面上，坩埚托主体座（2）的底部加工有外止口，其外止口插入石英管（4）的内孔中定位，石英管（4）的内部充满保温棉（5），石英管（4）外套有氧化铝管（3），氧化铝管（3）的上端面与坩埚托主体（1）底端面的外沿相触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐兰兰，张学锋，王玉辰，
申请(专利权)人：大庆佳昌晶能信息材料有限公司，
类型：新型
国别省市：黑龙江;23
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