【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种,该石英坩锅脱模阻隔剂包含99wt%以上的氮化硅(Si3N4),以及小于1wt%的杂质,又在氮化硅(Si3N4)中,β相的氮化硅所占的比例为60%~99%,该方法包含混合步骤、喷涂步骤以及成膜步骤,将多个脱模阻隔剂的粉末与水充分混合成悬浮溶液、接着喷涂在石英坩锅的表面,最后行烘烤,将石英坩锅的表面的水分去除,使所述脱模阻隔剂的粉末在该石英坩锅的表面形成一脱模层,藉由采用高含量的β相的氮化硅(Si3N4),能在高温时具有稳定的结构,而使得脱模层不易裂解,同时也避免了石英坩锅中的杂质扩散至多晶硅中,达到良好的脱模及阻隔效果。【专利说明】
本专利技术涉及一种,主要在于使用的氮化硅中β 相的比例大于60%。
技术介绍
随着绿能的发展,目前使用最广泛、转换效率最高者为多晶硅太阳能,在原料的生 长上,是将高纯度的多晶硅原材粉末放到耐高温的坩锅中熔融,控制特定条件使其晶粒成 长,冷却后,将多晶硅从坩锅中取出,再进行切割。 将多晶硅从坩锅中取出的过程中,为了能够确保多晶硅的完整,通才采用的坩锅 为石英坩锅,此外,通常在 ...
【技术保护点】
一种石英坩锅脱模阻隔剂,主要用于成长多晶硅,其特征在于,包含:氮化硅(Si3N4)占99wt%以上,且β相的氮化硅(Si3N4)占氮化硅(Si3N4)总含量的比例为60%~99%;以及杂质,小于1wt%。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:魏汝超,
申请(专利权)人:超能高新材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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