一种用于PVT法制备半导体单晶材料的原位掺杂方法技术

本发明专利技术涉及一种用于PVT法制备半导体单晶材料的原位掺杂方法，步骤如下：1）采用两温区PVT晶体生长炉，将原料、掺杂物进行工艺处理后混合一起放入原料区、衬底放入衬底位置；2）调置PVT晶体生长炉一温区、二温区温度，其温度范围根据原材料物理性能特点决定；3）待生长工艺结束后取出生长管，即可得到掺杂元素的单晶。有益效果是利于掺杂元素的均匀分布，使单晶材料实现均一的电学性能；减少了晶体结构损失，从而有效改善晶体质量；简化了单晶材料制备工艺，有利于单晶材料的规模化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种用于PVT法制备半导体单晶材料的原位掺杂方法
本专利技术涉及一种PVT法制备半导体单晶材料的掺杂方法，特别涉及一种用于PVT法制备半导体单晶材料的原位掺杂方法。
技术介绍
物理气相传输法（PVT法）制备半导体单晶材料的工艺过程是一个升华凝华过程，也是热量、质量和动力的输运过程，通过调节单晶炉温场分布、生长气压、载气流量等参数，降低内部缺陷和杂质元素，最终制备出高质量的半导体单晶材料。一般情况下，本征的半导体材料电学性能无法满足器件使用要求，为了调节、控制半导体的电学性质，在半导体单晶材料的PVT法制备工艺完成以后，常常通过扩散或离子注入工艺，将特定元素掺入半导体材料体内，得到所需的电学性能的半导体单晶材料，其中采用扩散工艺制备的半导体材料，扩散浓度随深度变化明显，其电学均匀性不好，对工艺的控制精度要求较高，而离子注入工艺设备昂贵而复杂，注入过程中由于入射离子的碰撞易导致晶体结构的损伤，因此必须增加退火工艺进行晶体结构修复。总之，传统的PVT法制备半导体单晶材料，把半导体单晶材料的生长工艺和掺杂工艺分别独立实现，增加了工艺复杂性，同时，掺杂工艺存在掺杂均匀性差、易引起晶体结构损伤等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于PVT法制备半导体单晶材料的原位掺杂方法，采用两温区PVT晶体生长炉，步骤如下：1）、将原料、掺杂物进行工艺处理后混合一起放入两温区PVT晶体生长炉原料区（1）、衬底放入炉内衬底（5）位置；2）、调置PVT晶体生长炉一温区、二温区温度，其温度范围根据原材料物理性能特点决定； 3）、待生长工艺结束后取出生长管（4），即可得到掺杂元素的单晶。

【技术特征摘要】
1.一种用于PVT法制备半导体单晶材料的原位掺杂方法，采用两温区PVT晶体生长炉，步骤如下：1）、将原料、掺杂物进行工艺处理后混合一起放入两温区PVT晶体生长炉原料区（1）、衬底放入炉内衬底（5）位置；2）、调置PVT晶体生长炉一温区、二温区温度，其温度范围根据原材料物理性能特点决定，即在PVT法晶体生长过程中，同时加入特殊物质的气氛，特殊物质为需要掺杂的物质的单质元素或化合物，使掺杂元素伴随晶体生长的过程进入到晶体内部格点位置，保证了掺杂均匀性和晶体结构完整性，从而实现理想掺杂效果；3）、待生长工艺结束后取出生长管（4），即可得到掺杂元素的单晶；PVT法制备掺氯元素的N型低阻硫化镉单晶，硫化镉单...

【专利技术属性】
技术研发人员：张颖武，程红娟，练小正，张志鹏，李璐杰，司华青，徐永宽，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12