具有单晶梁的集成半导体装置、制造方法和设计结构制造方法及图纸

提供与CMOS装置集成的体声波滤波器和/或体声谐振器、制造方法和设计结构。该方法包括从绝缘体(12)上的硅层(14)形成单晶梁(18)。该方法还包括在单晶梁之上提供绝缘体材料的涂层(22)。该方法还包括形成通过绝缘体材料的通孔(34a)，以暴露在绝缘体下面的晶片(10)。绝缘体材料保留在单晶梁之上。该方法还包括在通孔中和在绝缘体材料之上提供牺牲材料(36)。该方法还包括在牺牲材料上提供盖(38)。该方法还包括通过盖排出牺牲材料和在单晶梁下的晶片的一部分，以在单晶梁的上方形成上腔体(42a)和在单晶梁的下方的晶片中形成下腔体(42b)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种方法，包括：从绝缘体上的硅层形成单晶梁；在单晶梁之上提供绝缘体材料的涂层；形成通过绝缘体材料的通孔，暴露绝缘体下面的晶片，其中，绝缘体材料保留在单晶梁之上；在通孔中且在绝缘体材料之上提供牺牲材料；在牺牲材料上提供盖；以及通过盖排出牺牲材料和在单晶梁下的晶片的一部分，以在单晶梁的上方形成上腔体并在单晶梁的下方在晶片中形成下腔体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·L·哈拉梅，A·K·斯坦珀，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US