用于淀积反应器的设备和方法技术

一种诸如ALD(原子层淀积)设备的设备，其包括：前体源，所述前体源被配置成用于通过顺序的自饱和表面反应将材料淀积在淀积反应器中的被加热的基底上。所述设备包括：供入管线，所述供入管线用于将前体蒸汽从所述前体源供应到反应室中；以及结构件，所述结构件被配置成利用来自反应室加热器的热量阻止前体蒸汽在所述前体源和所述反应室之间凝结成液相或固相。本发明专利技术还提供了脉冲阀、前体源、前体盒以及方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及。更具体地并且非限制性的，本专利技术涉及前体源、，在所述淀积反应器中通过顺序的自饱和表面反应在表面上淀积材料。
技术介绍
原子层外延(ALE)方法是由Tuomo Suntola博士在二十世纪七十年代早期专利技术的。该方法的另一个通用名称是原子层淀积(ALD)，现在ALD这个名字已经取代了 ALE。ALD是一种特殊的化学淀积方法，其基于在位于被加热的反应空间内的基底上顺序地引入至少两种反应前体物种 。ALD的生长机理依赖于化学吸收(化学吸附)和物理吸收(物理吸附)之间的键强度差别。ALD在淀积过程中采用化学吸附并且无需物理吸附。在化学吸附过程中，强化学键被形成在固相表面的原子和来自气相的分子之间。由于仅仅涉及范德华力，所以物理吸附的键合较弱。在局部温度高于分子的凝结温度时热能可容易地断开物理吸附键。根据定义，ALD反应器的反应空间包括所有的被加热表面，这些被加热表面交替且顺序地暴露于用于淀积薄膜的每种ALD前体。基本ALD淀积循环由四个顺序步骤组成:脉冲A、净化A、脉冲B和净化B。脉冲A通常由金属前体蒸汽组成，脉冲B由非金属前体蒸汽、尤其是氮或氧前体蒸汽组成。惰性气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：前体源，所述前体源被配置成用于通过顺序的自饱和表面反应将材料淀积在淀积反应器中的被加热的基底上；第一脉冲阀，所述第一脉冲阀嵌在所述前体源中并被配置成控制前体蒸汽从所述前体源到反应室的供应，所述反应室包含于所述反应器中并且容纳着所述基底，所述设备被配置成：将惰性气体传送到前体盒以增大压强并使前体蒸汽和惰性气体的混合物随后朝着所述反应室的流动容易。

【技术特征摘要】
2008.04.22 US 12/148,8851.一种设备，包括: 前体源，所述前体源被配置成用于通过顺序的自饱和表面反应将材料淀积在淀积反应器中的被加热的基底上； 第一脉冲阀，所述第一脉冲阀嵌在所述前体源中并被配置成控制前体蒸汽从所述前体源到反应室的供应，所述反应室包含于所述反应器中并且容纳着所述基底， 所述设备被配置成: 将惰性气体传送到前体盒以增大压强并使前体蒸汽和惰性气体的混合物随后朝着所述反应室的流动容易。2.如权利要求1所述的设备，其中，所述设备被配置成: 在压强增大之后关闭所述前体盒，直到下一个前体脉冲周期开始，并且所述设备还被配置成: 在下一个前体脉冲周期开始时打开经由所述第一脉冲阀朝着所述反应室的通路。3.如权利要求1所述的设备，还包括第二脉冲阀，所述第二脉冲阀嵌在所述前体源中并被配置成控制前体蒸汽从所述前体源到反应室的供应。4.如权利要求3所述的设备，其中，所述设备被配置成: 通过所述第二脉冲阀将惰性气体传送到前体盒以增大压强并使前体蒸汽和惰性气体的混合物随后朝着所述反应室的流动容易。5.如权利要求3所述的设备， 还包括旁路管线，所述旁路管线位于所述第一脉冲阀和第二脉冲阀之...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·林德福斯，P·J·苏瓦尼南，
申请(专利权)人：皮考逊公司，
类型：发明
国别省市：