气体供给喷头和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够对气体扩散室的内部充分地进行清扫，能够抑制在非计划的区域产生不需要的堆积物的气体供给喷头。上述气体供给喷头具备：包括直线状的筒状空间的气体扩散室（101）；与该第一气体扩散室（101）对应地设置，形成列状的多个气体排出孔（102）；设置于气体扩散室（101）的一端，与向气体扩散室（101）内供给气体的气体供给系统（9）连接的第一气体供给口（103）；和设置于气体扩散室（101）的另一端，与从气体扩散室（101）内排出气体的气体排气系统（10）连接的排气口（104）。

【技术实现步骤摘要】
气体供给喷头和基板处理装置
本专利技术涉及气体供给喷头和基板处理装置。
技术介绍
在ALD（Atomiclayerdeposition：原子层沉积）、MO-CVD（Metal-organicChemicalVaporDeposition：金属有机化学汽相淀积）等的成膜装置中，例如，为了交替供给前体和氧化剂成膜薄膜，使用气体供给喷头（气体喷嘴）。在ALD、MO-CVD等中所使用的气体供给喷头为了将不同的气体种类不混合地向基板供给，具备与各种气体对应的各个气体扩散室和气体排出孔。气体供给喷头的公知例，例如在专利文献1～3中有记载。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2000-12471号公报专利文献2：日本特开昭62-149881号公报专利文献3：日本特开2003-305350号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，分别通过各个气体扩散室从各个气体排出孔交替供给不同气体时，例如，如果气体扩散室的内部未被充分清扫，则有时在非计划的区域，例如在气体排出孔的附近区域产生不需要的堆积物。例如，分别交替供给作为前体的三甲基铝（(CH3)3Al：TMA）气体、作为氧化剂的水蒸气（H2O）气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体供给喷头，其向对基板进行处理的处理空间供给气体，所述气体供给喷头的特征在于，具备：第一气体扩散室，其包括直线状的筒状空间；与该第一气体扩散室对应地设置，形成列状的多个第一气体排出孔；第一气体供给口，其设置于所述第一气体扩散室的一端，与向所述第一气体扩散室内供给第一气体的第一气体供给系统连接；和第一气体排气口，其设置于所述第一气体扩散室的另一端，与从所述第一气体扩散室内排出所述第一气体的第一气体排气系统连接。

【技术特征摘要】
2012.01.20 JP 2012-0105251.一种气体供给喷头，其向对基板进行处理的处理空间供给气体，所述气体供给喷头的特征在于，具备：第一气体扩散室，其包括直线状的筒状空间；第二气体扩散室，其包括与所述第一气体扩散室并列配置的直线状的筒状空间；与该第一气体扩散室对应地设置，形成列状的多个第一气体排出孔；与该第二气体扩散室对应地设置，形成列状的多个第二气体排出孔；第一气体供给口，其设置于所述第一气体扩散室的一端，与向所述第一气体扩散室内供给第一气体的第一气体供给系统连接；第二气体供给口，其设置于所述第二气体扩散室的一端，与向所述第二气体扩散室内供给所述第一气体的所述第一气体供给系统连接；第一气体排气口，其设置于所述第一气体扩散室的另一端，与从所述第一气体扩散室内排出所述第一气体的第一气体排气系统连接；和第二气体排气口，其设置于所述第二气体扩散室的另一端，与从所述第二气体扩散室内排出所述第一气体的所述第一气体排气系统连接，在所述第一气体扩散室内流动的所述第一气体的流向和在所述第二气体扩散室内流动的所述第一气体的流向为相互反向，所述多个第一气体排出孔和所述多个第二气体排出孔在同一列上交替配置。2.一种气体供给喷头，其向至少利用第一气体和第二气体对基板进行处理的处理空间供给所述第一气体和所述第二气体，所述气体供给喷头的特征在于，具备：相互并列配置的第一气体扩散室、第二气体扩散室、第三气体扩散室和第四气体扩散室；第一气体供给系统，其与所述第一、第二气体扩散室各自的相互相反侧的一端连接，向所述第一、第二气体扩散室供给所述第一气体；第一气体排气系统，其与所述第一、第二气体扩散室各自的相互相反侧的另一端连接，从所述第一、第二气体扩散室排出所述第一气体；第二气体供给系统，其与所述第三、第四气体扩散室各自的相互相反侧的一端连接，向所述第三、第四气体扩散室供给所述第二气体；第二气体排气系统，其与所述第三、第四气体扩散室各自的相互相反侧的另一端连接，从所述第三、第四气体扩散室排出所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中诚治，里吉务，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：