一种气体分配器及原子层沉积设备制造技术

本发明专利技术涉及原子层沉积设备技术领域，具体涉及一种气体分配器及包括该气体分配器的原子层沉积设备。所述气体分配器，包括进气管道、过渡管道和配气盘，所述配气盘固定设置在所述过渡管道的出气口，所述过渡管道的进气口与所述进气管道连接，所述配气盘上有出气孔，所述配气盘的外表面设有倾斜设置的气体导流板。本发明专利技术能够实现前躯体完整地覆盖样品表面，而且由于气体具有水平方向的分速度，使覆盖整个基片变得更为快速，很好地提高薄膜均匀性，有效地降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及原子层沉积设备
，具体涉及一种气体分配器及包括该气体分配器的原子层沉积设备。
技术介绍
原子层沉积(ALD)方法的最大特点是表面反应是自限制的，单周期薄膜沉积过程中由以下几个步骤:(1)第一种反应前驱体输入到衬底材料表面并通过化学吸附(饱和吸附)沉积在表面；(2)用惰性气体将多余的前躯体吹扫干净；(3)将当第二种前驱体通入反应腔，就会与己吸附于衬底材料表面的第一种前驱体发生反应。两种前驱体之间会发生置换反应并产生相应的副产物，直到吸附在表面的第一种前驱体提供的反应空位完全消耗，反应会自动停止并形成需要的薄膜；(4)用惰性气体将多余的前躯体和反应副产物吹扫干净。这种自限制性特征正是原子层沉积技术的基础，不断重复这种自限制反应就会形成所需的薄膜。根据ALD沉积原理，每一个循环在衬底的任何地方都会沉积相同数量的材料且与前驱物的多少无关，只要前驱物的剂量高于饱和表面反应所需即可。由此可见，ALD方法对通过样品表面的前躯体气流浓度的均匀性要求并不高，只需满足整个样品表面都有足够反应的前驱物通过即可，即DOSE进气时间内流过样品表面的剂量高于饱和表面反应所需。因此，对ALD本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体分配器，包括进气管道、过渡管道和配气盘，所述配气盘固定设置在所述过渡管道的出气口，所述过渡管道的进气口与所述进气管道连接，所述配气盘上有出气孔，所述配气盘的外表面设有倾斜设置的气体导流板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张艳清，夏洋，李超波，万军，吕树玲，陈波，石莎莉，李楠，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：