成膜装置制造方法及图纸

一种成膜装置，通过在真空容器内，多次执行交替地供给第一反应气体和第二反应气体并排气的循环，而在基板的表面将薄膜成膜，其特征在于，具有：设置在上述真空容器内、各自包含基板的载置区域的多个下部件；与上述多个下部件分别对置地设置，在与上述载置区域之间形成处理空间的多个上部件；用于向上述处理空间内供给气体的、第一反应气体供给部、第二反应气体供给部；以及用于在供给上述第一反应气体的时刻和供给第二反应气体的时刻之间供给吹扫气体的吹扫气体供给部；沿上述处理空间的周向形成，用于连通该处理空间内和作为该处理空间的外部的上述真空容器内的环境气氛的排气用开口部；用于将上述处理空间经由上述排气用开口部以及上述真空容器内的环境气氛进行真空排气的真空排气机构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种通过多次实行将第一反应气体和第二反应气体交替地供给、排气的循环，而将反应生成物的层层叠多个形成薄膜的成膜装置。
技术介绍
作为半导体制造工艺中的成膜方法，公知有如下成膜工艺，即在真空环境气氛下向作为基板的半导体晶片(以下称为“晶片”)等的表面供给第一反应气体并使该第一反应气体吸附到该表面之后，将供给的气体切换为第二反应气体，通过两气体的反应在基板上形成一层或者多层原子层或分子层，通过多次进行该循环，将上述层层积，由此进行向基板上的成膜。该工艺例如被称为ALD (Atomic Layer Deposition:原子层沉积)或MLD(Molecular Layer Deposition:分子层沉积)等,能够根据循环数量高精度地控制膜厚，同时膜质的面内均匀性也良好，是能够应对半导体器件的薄膜化的有效方法。作为这样的成膜工艺优选的例子，例如列举有在栅极氧化膜所使用的高电介质膜的成膜。列举一例，在将氧化娃膜(SiO2膜)成膜时,作为第一反应气体(原料气体)例如使用双叔丁基氨基硅烷(以下，称为“BTBAS”)，作为第二反应气体，使用例如氧气等。作为实施上述这样的成膜工艺的装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，该成膜装置在真空容器内利用反应气体对基板进行成膜处理，该成膜装置的特征在于，该成膜装置具有：下部件，该下部件设置在上述真空容器内，包含基板的载置区域；上部件，该上部件设置在该下部件的上方侧，为了在该上部件和上述载置区域之间形成处理空间而将与该载置区域对置的面形成为凹状，并且在与上述下部件的载置区域的外侧之间形成有用于对处理空间的压力或者处理空间内的上述反应气体的滞留时间的至少一方进行调整的间隙；气体供给部，该气体供给部用于向上述处理空间至少供给反应气体；升降机构，该升降机构为了调整上述间隙的大小而使上述下部件相对于上部件相对地升降；以及真空排气机构，该真空排气机构用于经上述间隙以...

【技术特征摘要】
2008.09.30 JP 2008-2545541.一种成膜装置，该成膜装置在真空容器内利用反应气体对基板进行成膜处理， 该成膜装置的特征在于， 该成膜装置具有: 下部件，该下部件设置在上述真空容器内，包含基板的载置区域； 上部件，该上部件设置在该下部件的上方侧，为了在该上部件和上述载置区域之间形成处理空间而将与该载置区域对置的面形成为凹状，并且在与上述下部件的载置区域的外侧之间形成有用于对处理空间的压力或者处理空间内的上述反应气体的滞留时间的至少一方进行调整的间隙； 气体供给部，该气体供给部用于向上述处理空间至少供给反应气体； 升降机构，该升降机构为了调整上述间隙的大小而使上述下部件相对于上部件相对地升降；以及 真空排气机构，该真空排气机构用于经上述间隙以及真空容器内的环境气氛对上述处理空间进行真空排气。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于， 在上述真空容器内配置有多组上述下部件以及上部件的组。3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：辻德彦，诸井政幸，泽地淳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：