低压化学气相淀积装置及其薄膜淀积方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种化学气相淀积（LPCVD）装置及其薄膜淀积方法，属于半导体薄膜制备技术领域。该LPCVD的反应炉的炉口部分处和炉尾部分处均设置有反应气体输入管路，在薄膜沉积时，每种反应气体同步地从所述炉口部分处的输入管路和所述炉尾部分处的输入管路通入所述反应炉内。使用该LPCVD装置制备的同批次晶圆的薄膜的一致性好，特别是晶粒尺寸一致性好，同时生产效率高、生产成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体薄膜制备
，涉及一种低压化学气相淀积(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD)装置。尤其涉及一种在反应炉的炉口和炉尾均设置反应气体输入管路的LPCVD装置以及使用该LPCVD装置进行薄膜淀积的方法。
技术介绍
LPCVD装置在半导体薄膜制备中广泛应用，例如，在DMOS的制备中，采用LPCVD装置沉积多晶硅薄膜层。图1所示为现有技术的LPCVD装置的基本结构示意图。如图1所示，LPCVD 10包括反应炉，其通常也称为炉管，需要沉积薄膜的晶圆置于反应炉中，通入反应气体后在一定工艺参数条件下生成各种特性的半导体薄膜。常规地，反应炉包括炉口部分110、炉尾部分130以及以上二者之间的炉身部分120 ;晶圆通过炉口部分110的开口进入反应炉中，具体地，以晶舟900承载晶圆910以方便地进出入反应炉中，如图1所示，在薄膜生长过程中，承载晶圆910的晶舟900置于炉口部分110和炉尾部分130之间(也即置于炉身部分段)。同时，在炉尾部分130处设置开口连 接真空泵，以便在晶圆910置入反应炉后(通入反应气体前)抽取反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低压化学气相淀积装置，包括反应炉，所述反应炉包括炉口部分和炉尾部分，所述炉口部分和炉尾部分之间用于置放多片晶圆，其特征在于，在所述炉口部分处和炉尾部分处均设置有反应气体输入管路。

【技术特征摘要】
1.一种低压化学气相淀积装置，包括反应炉，所述反应炉包括炉口部分和炉尾部分，所述炉口部分和炉尾部分之间用于置放多片晶圆，其特征在于，在所述炉口部分处和炉尾部分处均设置有反应气体输入管路。2.如权利要求1所述的低压化学气相淀积装置，其特征在于，所述化学气相淀积的反应气体为η种时，在所述炉口部分处和炉尾部分处均设置有η个反应气体输入管路，其中η为大于或等于I的整数。3.如权利要求1所述的低压化学气相淀积装置，其特征在于，每个所述反应气体输入管路上设置有气动阀。4.如权利要求1或3所述的低压化学气相淀积装置，其特征在于，每个所述反应气体输入管路上设置有流量计。5.如权利要求1所述的低压化学气相淀积装置，其特征在于，所述反应炉还包括炉身部分，所述多片晶圆置放于所述炉身部分处。6.如权利要求1所述的低压化学气相...

【专利技术属性】
技术研发人员：王训辉，吴啸，过奇钧，范建超，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：