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本发明提供一种化学气相淀积（LPCVD）装置及其薄膜淀积方法，属于半导体薄膜制备技术领域。该LPCVD的反应炉的炉口部分处和炉尾部分处均设置有反应气体输入管路，在薄膜沉积时，每种反应气体同步地从所述炉口部分处的输入管路和所述炉尾部分处的输入...
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