一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的气体混合分配结构制造技术

本发明专利技术属于半导体薄膜沉积设备领域，具体地说，是一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的气体混合分配结构，包括混气室、气体入口管路、气体出口管路及进气挡板，其中混气室底面分别连接有第一气体入口管路及第二气体入口管路，所述第一气体入口管路及第二气体入口管路的上方设有安装在混气室底面上的进气挡板，第一气体入口管路及第二气体入口管路的入口均位于所述进气挡板的下方；所述气体出口管路为至少两个，对称连接在混气室相对的两侧面。本发明专利技术能实现各工艺气体充分混合，各腔室之间气体均匀分配，使各腔室之间保持相同的工艺状态，而且结构简单，成本低廉，体积小，方便安装维护。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的气体混合分配结构，其特征在于：包括混气室(1)、气体入口管路、气体出口管路及进气挡板(6)，其中混气室(1)底面分别连接有第一气体入口管路(4)及第二气体入口管路(5)，所述第一气体入口管路(4)及第二气体入口管路(5)的上方设有安装在混气室(1)底面上的进气挡板(6)，第一气体入口管路(4)及第二气体入口管路(5)的入口均位于所述进气挡板(6)的下方；所述气体出口管路为至少两个，对称连接在混气室(1)相对的两侧面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王丽丹，梁学敏，刘忆军，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：