致孔剂，致孔的前体以及使用其来提供低介电常数的多孔有机硅玻璃膜的方法技术

本发明专利技术涉及致孔剂，致孔的前体以及使用其来提供低介电常数的多孔有机硅玻璃膜的方法，具体地公开了一种用于制备多孔有机硅玻璃膜的化学气相沉积方法，包括：在真空室内引入包含至少一种选自有机硅烷和有机硅氧烷的前体，和不同于该前体的致孔剂的其它反应物，其中该致孔剂为具有非支化结构和等于或小于2的不饱和度的C4～C14环状烃化合物；在真空室中将能量施加到气态反应物以引发气态反应物的反应，由此在基底上沉积初级膜，其中该初级膜含有致孔剂；和从该初级膜中充分除去全部不稳定的有机材料，由此提供具有孔隙和小于2.6的介电常数的多孔膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过CVD法制得的低介电常数材料的领域。特别地，本专利技术涉及用于制备这种材料的膜的方法和它们作为电子器件中绝缘层的用途。
技术介绍
电子工业利用介电材料作为电路和集成电路(IC)组件以及相关电子器件之间的绝缘层。为了提高微电子器件(例如计算机芯片)的速度和记忆储存能力，一直都在降低线尺寸。随着线尺寸降低，对于层间绝缘(ILD)的绝缘要求变得越来越苛刻。间距缩短需要更低的介电常数以使RC时间常数最小化，其中R为导线的电阻且C为绝缘介电中间层的电容。C值与间距成反比且与层间绝缘(ILD)的介电常数(k)成正比。由SiH4或TEOS (Si (OCH2CH3)4，四乙基原硅酸盐)和O2制得的传统硅石(SiO2) CVD介电膜具有大于4.0的介电常数k。存在几种工业尝试制备基于硅石的较低介电常数的CVD膜的方式，最成功的是采用有机基团掺杂绝缘硅氧化物膜，提供了范围为2.7 3.5的介电常数。这种有机硅玻璃典型地由有机硅前体如甲基硅烷或硅氧烷和氧化剂如O2或N2O沉积为致密膜(密度 1.5g/cm3)。有机硅玻璃在本文中将称作0SG。随着介电常数或“k”值降到低于2.7，且同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备式SivOwCxHyFz所示的多孔有机硅玻璃膜的化学气相沉积方法，其中v+w+x+y+z＝100％，v为10～35原子％，w为10～65原子％，x为5～30原子％，y为10～50原子％和z为0～15原子％，所述方法包括：在真空室中提供基底；在真空室内引入气态反应物，其包含至少一种选自有机硅烷和有机硅氧烷的前体，该至少一种前体为选自下列的成员：二乙氧基甲基硅烷、二甲氧基甲基硅烷、二异丙氧基甲基硅烷、二叔丁氧基甲基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三异丙氧基硅烷、甲基三叔丁氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二甲基二异丙氧基硅烷、二甲基二叔丁氧基硅烷、和四乙氧...

【技术特征摘要】
2008.05.05 US 12/115,0871.一种用于制备式SivOwCxHyFz所不的多孔有机娃玻璃膜的化学气相沉积方法,其中v+w+x+y+z = 100%, V为10 35原子w为10 65原子x为5 30原子y为10 50原子％和Z为0 15原子％，所述方法包括: 在真空室中提供基底； 在真空室内引入气态反应物，其包含至少一种选自有机娃烧和有机娃氧烧的前体，该至少一种前体为选自下列的成员:二乙氧基甲基硅烷、二甲氧基甲基硅烷、二异丙氧基甲基硅烷、二叔丁氧基甲基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、甲基二异丙氧基硅烷、甲基二叔丁氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二甲基二异丙氧基硅烷、二甲基二叔丁氧基硅烷、和四乙氧基硅烷，和不同于该前体的致孔剂，其中该致孔剂选自环辛烷、环庚烷、环辛烯、环辛二烯、环庚烯、及其混合物； 在真空室中将能量施加到气态反应物来引发气态反应物的反应，以在基底上沉积初级膜，其中该初级膜含有致孔剂；和 从该初级膜中充分除去全部不稳定的有机材料，由此提供具有孔隙和小于2.6的介电常数的多孔膜。2.权利要求1的方法，其中该介电常数小于2.2。3.权利要求1的方法，其中V为20 30原子％，w为20 45原子％，x为5 20原子％，y为15 40原子％和z为0。4.权利要求1的方法，其中该能量为等离子能，且通过暴露于紫外辐射除去致孔剂。5.权利要求1的方法，其中该多孔膜中大多数的氢键合于碳。6.权利要求1的方法，其中该多孔膜的密度小于1.5g/mL.7.权利要求1的方法，其中该孔隙...

【专利技术属性】
技术研发人员：RN夫尔蒂斯，ML奥尼尔，JL文森特，AS卢卡斯，MK哈斯，
申请(专利权)人：气体产品与化学公司，
类型：发明
国别省市：