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本发明涉及致孔剂，致孔的前体以及使用其来提供低介电常数的多孔有机硅玻璃膜的方法，具体地公开了一种用于制备多孔有机硅玻璃膜的化学气相沉积方法，包括：在真空室内引入包含至少一种选自有机硅烷和有机硅氧烷的前体，和不同于该前体的致孔剂的其它反应物，...
该专利属于气体产品与化学公司所有，仅供学习研究参考，未经过气体产品与化学公司授权不得商用。

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