一种铝掺杂氧化锌透明导电氧化物薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提供一种铝掺杂氧化锌透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：将反应腔抽真空并加热，用纯度为5N的高纯氮清洗各条气体管路及反应腔；向反应腔通入锌源前驱体脉冲，再清除多余的前驱体；然后通入水蒸汽脉冲，再清洗掉多余的水蒸汽，至此完成一个循环的氧化锌的沉积；同上完成一个循环的氧化铝的沉积；在完成氧化锌和氧化铝循环沉积后，通入高纯氢气，然后清除多余氢气，到此完成一个氢气氛条件下铝掺杂氧化锌薄膜沉积过程；完成铝掺杂氧化锌透明导电氧化物薄膜的制备。较低的制备温度可使AZO薄膜在高分子聚合物等低熔点、柔性衬底上沉积，大大扩展了在AZO薄膜应用范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种导电氧化物薄膜的制备方法，特别是涉及。
技术介绍
铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜是一种透明导电氧化物(TCO)材料，具有良好的光学透过性和电导性能，可用于光电器件中的电极材料，包括光伏电池，平板显示及有机发光二极管等。目前广泛使用的TCO材料是氧化铟锡(ITO)，但地球上铟元素储量相对稀少、使用成本高，而AZO薄膜原料丰富、价格低廉、材料无毒，这都使其成为最具发展潜力的TCO材料。AZO可以通过多种方法制备，其中用原子层沉积(ALD)方法有其独特的优势。ALD技术能够 在任意形状表面上沉积保型性很好的AZO薄膜，且掺杂量容易精确控制，并具有很低的制备温度。ALD沉积的AZO薄膜具有较低的电阻率和较高的光学透过率，可以替代ITO薄膜，应用前景广阔。原子层沉积方法可以在不能耐受高温的柔性衬底上低温沉积AZO薄膜，这是它的技术优势。但是，较低温度下的沉积，薄膜内部的缺陷是无法避免的，阻碍了光学和电学性能的提高。2000年德国马普学会的Van de Walle教授发表一篇有较高影响力的论文。Van de Walle教授基于密度函数理论研究发现氢原子较易掺入ZnO中，作为浅施主本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铝掺杂氧化锌透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，用真空泵将反应腔抽真空并加热，再用纯度为5N的高纯氮清洗各条气体管路及反应腔；步骤二，先向反应腔通入锌源前驱体脉冲，再清除多余的前驱体；然后通入水蒸汽脉冲，再清洗掉多余的水蒸汽，至此完成一个循环的氧化锌的沉积；步骤三，先向反应腔通入铝源前驱体脉冲，再清除多余的前驱体；然后通入水蒸汽脉冲，再清洗掉多余的水蒸汽，至此完成一个循环的氧化铝的沉积；步骤四，在完成氧化锌和氧化铝循环沉积后，通入高纯氢气，然后清除多余氢气，到此完成一个氢气氛条件下铝掺杂氧化锌薄膜沉积过程；步骤五，重复步骤二到步骤四，完成铝掺杂氧化锌透明导电氧化...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姜来新，毛启明，宋佳，尹桂林，何丹农，
申请(专利权)人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：