一种厚氧化薄膜的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种厚氧化薄膜的制作方法，该厚氧化薄膜的厚度为4-7微米，该方法包括如下步骤：第一步，采用亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积法交替沉积氧化薄膜；第二步，退火处理。本发明专利技术通过用亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积法的交替沉积，并辅助以退火处理调节两种膜质的刻蚀速率，实现了厚氧化膜的制作和满足器件要求的刻蚀形貌。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造工艺，具体涉及一种半导体集成电路中薄膜的制备方法，尤其涉及。
技术介绍
在半导体电子器件制造中，氧化膜(SiO2)由于其良好的致密性，绝缘性作为浅沟槽隔离(STI Shallow Trench Isolation),金属间绝缘(IMD Inter-metal Dielectric) 和金属前绝缘(PMD Pre-metal Dielectric)得到了广泛的应用。一般情况下，氧化膜和金属层(铝或铜)交替沉积，而且氧化膜的厚度不会大于1. 5微米，这样就能很好的解决薄膜的应力问题，从而控制整个硅片的翘曲度，即硅片的曲率半径，不至于影响到后续的工艺处理。氧化膜的制备方法通常由亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积法来实现。亚常压化学气相沉积法制备的薄膜表现为拉应力，作为对应的结果，硅片的翘曲度就向上，曲率半径会向正的方向变化。但由于亚常压化学气相沉积法制备的薄膜暴露在空气中有吸水的特性，使得薄膜的应力从拉应力变为压应力，硅片的翘曲度就向下，曲率半径会向负的方向变化(如图1所示)；等离子辅助化学气相沉积法制备的薄膜由于引入了等离子体，薄膜的性能非常稳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种厚氧化薄膜的制作方法，其特征在于，该厚氧化薄膜的厚度为4?7微米，该方法包括如下步骤：第一步，采用亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积法交替沉积氧化薄膜；第二步，退火处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：成鑫华，陈立鸣，李琳松，姚嫦娲，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：