特殊刀片去除PIN薄膜以量测膜厚并改善薄膜制程制造技术

本发明专利技术主要目的是特殊刀片去除PIN薄膜以量测膜厚并改善薄膜制程，其主要为检测方式的一种改善，先将PECVD镀膜的P型、I型、N型半导体薄膜待其玻璃降温，随后将玻璃放置于玻璃切割载台上，让刀片接触膜面，以固定一方向去除膜面，并再由膜厚仪进行量测以得到最佳的数据。此刀片发明专利技术则是刀片本身设计较为倾斜状，而刀背则是联接一支撑架，此支撑架则是可活动式，让刀片可作前后移动，当玻璃放入到玻璃载台时时，支撑架下压让刀片接触玻璃面，此时刀尖已完全接触玻璃，随后支撑架开始前后移动，刀尖开始去除膜面，如此的方式可以乾净去除膜面，且随后膜厚仪也能精准确定膜厚，可让制程人员了解下次如何改进P型、I型、及N型半导体薄膜，并增加太阳能膜层效率。

【技术实现步骤摘要】
特殊刀片去除PIN薄膜以量测膜厚并改善薄膜制程
本方法是薄膜太阳能中的技术核心PECVD镀膜完成后，利用专属设计过的刀片去接触膜面，并将膜面完全去除，以便能够精准量测膜厚，此种方式为检测方式的一种，且因 PECVD膜层的厚度对于整体效率影响非常大，故使用此刀片去除膜层，可帮助制程能够更加了解如何调整PECVD膜层，对于整体薄膜太阳能电非常有帮助。
技术介绍
目前，业界对于薄膜太阳能电池中已有相当多的研究，在制程PECVD时最需要得知膜层是否均匀，以及膜层的厚度，因为PECVD镀膜的PIN半导体薄膜中各有各所需要的厚度，此厚度会影响膜层的电性、电子迁移率等，故能够有方式去量测膜厚是必需的。目前业界最常使用的方法为使用雷射划线去除去膜层，或者是利用电子显微镜去量测厚度，但此方法需高成本；另外，也有在玻璃表面贴上真空胶带，当镀完膜层后去除胶带再进行量测， 但此去除胶带时容易在玻璃上形成残胶；又在玻璃表面使用涂上麦克笔，镀完膜后用酒精去除，但此方式又会因麦克笔材料去污染腔体。故本专利技术是用特殊专属刀片，当镀完膜层后在玻璃表面用此刀片去去除膜面，此种刀片并不会伤害玻璃本身，而是仅去除膜面，此方法可协助制程人员了解各层实际厚度，以便能够制造更高效率的薄膜太阳能电池。
技术实现思路
本专利技术主要目的是特殊刀片去除PIN薄膜以量测膜厚并改善薄膜制程，其主要为检测方式的一种改善，先将PECVD镀膜的P型、I型、N型半导体薄膜待其玻璃降温，随后将玻璃放置于玻璃切割载台上，让刀片接触膜面，以固定一方向去除膜面，并再由膜厚仪进行量测以得到最佳的数据。此刀片专利技术则是刀片本身设计较为倾斜状，而刀背则是联接一支撑架，此支撑架则是可活动式，让刀片可作前后移动，当玻璃放入到玻璃载台时时，支撑架下压让刀片接触玻璃面，此时刀尖已完全接触玻璃，随后支撑架开始前后移动，刀尖开始去除膜面，如此的方式可以乾净去除膜面，且随后膜厚仪也能精准确定膜厚，可让制程人员了解下次如何改进P.1. N半导体薄膜，并增加太阳能膜层效率。具体实施方式兹将本专利技术配合附图，详细说明如下所示请参阅图1，为本专利技术特殊刀片去除PIN薄膜以量测膜厚并改善薄膜制程之流程图，由流程图得知，刀片先架设于支撑架上， 此支撑架是可以前后移动的，且此支撑架也可作上下移动，主要是当玻璃放入到玻璃载台上时，支撑架开始下压，使刀尖能够完全接触玻璃表面，此时玻璃已被固定住无法作任何移动，随后支撑架开始前后进行移动，此时刀尖会沿着膜面开始去除膜层，但此刀尖不会伤害玻璃本身，当完成之后，即可看到PIN膜面以及被刀尖去除所剩下的玻璃，此时再利用CDA 将玻璃清洁，即完成，并可送到膜厚仪进行膜厚量 测，此可帮助制程人员能够准确量测其膜厚，并作P.1. N型半导体薄膜各层的改善，以增加太阳能效率，请参阅图2，为本专利技术特殊刀片去除PIN薄膜以量测膜厚并改善薄膜制程之刀片示意图，由图中可以看到制程后玻璃I 与特殊刀片2，此发现特殊刀片是平面的，且会接触到制程后玻璃上，也因为如此，其刀片才可以完整去除掉制程后的PIN膜面，故才可以进行膜厚量测，也才能够进行后续制程的改盡口， 请参阅图3，为本专利技术特殊刀片去除PIN薄膜以量测膜厚并改善薄膜制程之本体示意图，首先，制程后玻璃I放置于玻璃载台3上，而在玻璃载台上内有一明显的凹槽4，此凹槽就是让制程后玻璃放入后不能够再进行前后左右的移动，接着，特殊刀片2放置于支撑架6 上，而支撑架则架设在机台7上，此机台是已固定放在桌子上方，而支撑架下则有一平行机构5，此机构可以让特殊刀片作前后式的移动，而支撑架则是可以作上下式移动，当玻璃在放置到玻璃载台内之后，其支撑架开始下压移动，并且使得刀片下压至接触玻璃面，接着此刀片可用平行机构开始进行前后移动，而在玻璃面上的膜面则会因为刀片接触而开始被去除，当完成去除膜面之后，此支撑架则可以向上升，使刀片远离玻璃，即完成去除膜面动作， 此时即可以将玻璃送至膜厚仪进行膜厚量测，且因为玻璃并不是贴上真空胶带，故没有残胶问题，也没有经过麦克笔涂抹，故也没有污染问题，且此方式也可以达到节省成本效果， 以上说明，对本专利技术而言只是说明性的，非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修正、变化或等效，但都将落入本专利技术的保护范围之内，附图说明下面是结合附图和实施例对本专利技术进一步说明图1是本专利技术之动作流程示意图；图2是本专利技术之特殊刀片示意图；图3是本专利技术之玻璃切割本体示意图；主要兀件符号说明1…制程后玻璃2…特殊刀片3…玻璃载台4…定位凹槽5…平行机构6…支撑架7…玻璃切割机台。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以特殊刀片去除PIN薄膜以量测膜厚并改善薄膜制程，其主要为检测方式的一种改善，先将PECVD镀膜的P型、I型、以及N型半导体薄膜，玻璃制程后待其玻璃降温，随后将玻璃放置于玻璃切割机台上，主要让玻璃能够放入到玻璃载台的凹槽内，接着让刀片接触膜面，以固定一方向去除膜面，并再由膜厚仪进行量测以得到最佳的数据，此刀片专利技术则是刀片本身设计较为倾斜状，而刀背则是联接一支撑架，此支撑架则是可活动式，让刀片可作前后移动，当玻璃放入到玻璃载台时时，支撑架下压让刀片接触玻璃面，此时刀尖已完全接触玻璃，随后支撑架开始前后移动，刀尖开始去除膜面，如此的方式可以干净去除膜面，且随后膜厚仪也能精准确定膜厚，可让制程人员了解下次如何改进P.I.N半导体薄膜，并增加太阳能膜层效率。

【技术特征摘要】
1.一种以特殊刀片去除PIN薄膜以量测膜厚并改善薄膜制程，其主要为检测方式的一种改善，先将PECVD镀膜的P型、I型、以及N型半导体薄膜，玻璃制程后待其玻璃降温， 随后将玻璃放置于玻璃切割机台上，主要让玻璃能够放入到玻璃载台的凹槽内，接着让刀片接触膜面，以固定一方向去除膜面，并再由膜厚仪进行量测以得到最佳的数据，此刀片发明则是刀片本身设计较为倾斜状，而刀背则是联接一支撑架，此支撑架则是可活动式，让刀片可作前后移动，当玻璃放入到玻璃载台时时，支撑架下压让刀片接触玻璃面，此时刀尖已完全接触玻璃，随后支撑架开始前后移动，刀尖开始去除膜面，如此的方式可以干净去除膜面，且随后膜厚仪也能精准确定膜厚，可让制程人员了解下次如何改进P.1. N半导体薄膜， 并增加太阳能膜层效率。2.根据权利要求1所述的一种特殊刀片去除PIN薄膜以量测膜厚并改善薄膜制程，其中特殊刀片...

【专利技术属性】
技术研发人员：张思思，刘幼海，刘吉人，
申请(专利权)人：吉富新能源科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：