附有薄膜的晶片的膜厚分布测定方法技术

本发明专利技术是一种附有薄膜的晶片的评价方法，其计算在基板的表面上具有薄膜的附有薄膜的晶片的前述薄膜的膜厚分布，其特征在于，通过向前述附有薄膜的晶片表面的部分区域上照射单波长λ的光，并检测前述区域的反射光，测定将前述区域分割为多个的每个像素的反射光强度，从而求得前述区域内的反射光强度分布，并根据该反射光强度分布，计算前述区域内的薄膜的膜厚分布。由此，提供一种附有薄膜的晶片的评价方法，其能以低成本简便地且以充分的空间分辨率，对整个晶片进行影响元件的微薄膜（SOI层）膜厚分布的测定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种附有薄膜的晶片的评价方法，其是计算制作半导体元件所使用的附有薄膜的晶片的膜厚分布，尤其涉及一种计算绝缘衬底上的娃(SiIicon-On-Insulator,SOI)层膜厚分布的评价方法。
技术介绍
近年来，伴随着设计规则的细微化，用于制作SOI元件、尤其是用于制作全耗尽SOKFully Depleted S0I，FD_S0I)元件的SOI晶片的SOI层膜厚分布，开始影响到元件制造工序，甚至影响到晶体管特性。在集成电路中，使构成电路的晶体管的特性均匀，较为重要。现有的膜厚测定方法，当计算在基板的表面上具有薄膜的附有薄膜的晶片上的薄膜的膜厚分布时，一般是利用椭圆偏振光谱法(spectroscopic ellipsometry)、反射光谱法，测定每个点的膜厚，但是，市售的膜厚分布测定装置，还不能够以I μ m左右的分辨率，对大范围的面进行膜厚分布测定。在利用椭圆偏振光谱法、反射光谱法的点测定中，通过对每个测定点，获取某波长范围(通常为可见光区)的光谱，针对该光谱与模型膜结构匹配，来求得各测定点的膜厚。因此，如果以I μ m左右的分辨率进行测定，由于测定点数量过度增加，因本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑原登，
申请(专利权)人：信越半导体股份有限公司，
类型：
国别省市：