一种制作太阳能电池的扩散方法技术

本发明专利技术公开了一种制作太阳能电池的扩散方法，包括：将待处理的硅片放入扩散炉中，将扩散炉的温度升高至第一设定温度；在第一设定温度下，向扩散炉中通入携磷源气体、氧气、氮气，在硅片表面进行磷源扩散；将扩散炉的温度由第一设定温度逐渐升高至第二设定温度，在温度升高的过程中向扩散炉中通入氧气和氮气，进行推结，使磷原子扩散至硅片内部；降低扩散炉的温度，完成扩散过程，取出制结后的硅片。该扩散方法能提高扩散薄膜层电阻的均匀性，提高太阳能电池的转换效率，进而提高太阳能电池的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池制作工艺
，尤其涉及。
技术介绍
基于光伏效应将太阳能转换为电能的光伏太阳能电池越来越受到重视。制作晶体硅太阳能电池的过程包括超声清洗、制绒、扩散、刻蚀、去磷硅玻璃、减反射膜、丝网印刷、测试分选等工艺操作。其中，扩散(也称扩散制结)制结是制备太阳能电池的关键环节。扩散是指通过在P型硅片表面掺杂N型杂质，形成P-N结的过程。一般采用将氧气、携带三氯氧磷的氮气按一定的比例通入到高温的扩散炉中，在硅片表面形成含磷的氧化层；在高温下，磷原子从该氧化层扩散到硅片内中，从而在P型硅的表面形成一层重掺杂的N型区，最终形成PN结。现有的扩散工艺得到的电池片的薄膜电阻均匀性较差，而扩散的薄膜电阻均匀性对太阳能电池的性能，以及转换效率均有较大的影响，因此如何改进扩散工艺，提高太阳能电池片的扩散薄膜电阻的均匀性是本领域技术人员迫切需要解决的问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了，该扩散方法能提高扩散薄膜层电阻的均匀性，提高太阳能电池的性能。为实现以上目的，本专利技术提供了，该方法包括将待处理的硅片放入扩散炉中，将所述扩散炉的温度升高至第一设定温度； 在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作太阳能电池的扩散方法，其特征在于，包括：将待处理的硅片放入扩散炉中，将所述扩散炉的温度升高至第一设定温度；在所述第一设定温度下，向所述扩散炉中通入携磷源气体、氧气、氮气，在所述硅片表面进行磷源扩散；将所述扩散炉的温度由第一设定温度逐渐升高至第二设定温度，在温度升高的过程中向所述扩散炉中通入氧气和氮气，进行推结，使磷原子扩散至所述硅片内部；降低所述扩散炉的温度，完成扩散过程，取出制结后的硅片。

【技术特征摘要】
1.一种制作太阳能电池的扩散方法，其特征在于，包括 将待处理的硅片放入扩散炉中，将所述扩散炉的温度升高至第一设定温度； 在所述第一设·定温度下，向所述扩散炉中通入携磷源气体、氧气、氮气，在所述硅片表面进行磷源扩散； 将所述扩散炉的温度由第一设定温度逐渐升高至第二设定温度，在温度升高的过程中向所述扩散炉中通入氧气和氮气，进行推结，使磷原子扩散至所述硅片内部； 降低所述扩散炉的温度，完成扩散过程，取出制结后的硅片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一设定温度为小于或等于790度。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二设定温度为790 900度。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二设定温...

【专利技术属性】
技术研发人员：王竞争，
申请(专利权)人：浚鑫科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：