一种沈积法成长II-VI 族硒化锌碲ZnSeTe制造技术

本发明专利技术系提出一种探讨以分子束沈积法成长II-VI族硒化锌碲(ZnSeTe)薄膜藉以取代原本担任CuInSe2薄膜太阳能电池中透光层角色的硫化镉(CdS)。而在组件结构中此透光层的基板为CuInSe2薄膜，藉由调整Te加入ZnSe的量形成ZnSe1-xTex薄膜让此薄膜与基板完全匹配。发明专利技术目标为本发明专利技术尝试以蒸镀的方式来成长高质量的ZnSe薄膜，用来取代原本担任透光层角色的CdS。ZnSe的基本特性比起同为II-VI族的CdS与CuInSe2相互搭配起来应当会更为契合。

【技术实现步骤摘要】
—种沈积法成长M-Vl族砸化锌碲ZnSeTe
本专利技术系有关一种薄膜层的制造方法，讨论以一种沈积法成长I1-VI族硒化锌碲(ZnSeTe)薄膜藉以取代原本担任CuInSe2薄膜太阳能电池中透光层角色的硫化镉 (CdS)。而在组件结构中此透光层的基板为CuInSe2薄膜，藉由调整Te加入ZnSe的量形成ZnSel-xTex薄膜让此薄膜与基板完全匹配。
技术介绍
由于科技的蓬勃发展，对于能源的需求量因而逐年累增，造成现有资源(如石油、 天然气、煤)的存量逐年减少，加上这些能源使用时，燃烧所排放出的C02、硫化物、氮化物… 等污染物，造成严重的环境破坏，导致如温室效应、酸雨、空气的污染等问题。近年来由于环保意识的抬头，使得发展干净的再生能源，成为一项重要的课题。在所有再生能源中，如汽电共生、水力发电、风力发电、与太阳能发电，其中部分受到地理环境的限制，而太阳能发电却具有不受地理环境影响与取之不竭的优点。在目前的太阳能电池研究中，以开发薄膜形式、高能量转换效率、低成本为主要考虑。在薄膜电池材料中，已有 a-S1、CdTe、CuInSe2、CuInGaSe2、CdSe、ZnP2 与 Zn3P本文档来自技高网...

【技术保护点】
CuInSe2?薄膜太阳能电池组件结构是由多层膜结合而成，当p?type?Cu?rich?CuInSe2?薄膜成长是表面不平整的结果，则会让接续的镀膜成果一样表面不平整，因此期望藉由掺入Sb?来改善p?type?Cu?rich?CuInSe2?薄膜表面形貌使其变的平整致密，以利于后续制程，本实验将评估这项制程对太阳电池组件物性的影响。

【技术特征摘要】
1.CuInSe2薄膜太阳能电池组件结构是由多层膜结合而成，当p_type Cu-rich CuInSe2薄膜成长是表面不平整的结果，则会让接续的镀膜成果一样表面不平整，因此期望藉由掺入Sb来改善p-type Cu-rich CuInSe2薄膜表面形貌使其变的平整致密，以利于后续制程，本实验将评估这项制程对太阳电池...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈谊浩，刘幼海，刘吉人，
申请(专利权)人：吉富新能源科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：