【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种是一种运用在双结薄膜太阳能电池的新技术。在双结的接面上多加上一道制程，形成良好的穿隧效应，使双结薄膜太阳能电池效率达到加成效果，以增加太阳能电池发电效率。
技术介绍
由于现在太阳能产业为了有效提升太阳能电池效率，纷纷由单结太阳能电池转成双结太阳能电池。而双结太阳能电池在串联两个电池时，其接面扮演相当重要的角色，若无良好的穿隧结产生，两个太阳能电池堆栈在一起将无法有加乘效果，所以能在此接面产生 良好的穿隧结，将可大大提升太阳能电池之效率，增加其产业竞争力。专利技术说明 本专利技术主要是适用于双结薄膜太阳能电池之接面处，利用透明氧化层本身内部现有之缺陷，而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率，有效阻止在双结接面上载子分离形成反向的内建电场，获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结，若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉积结晶之质量，大大提升薄膜太阳能电池之效能。具体实施方法 吾将本专利技术搭配附图，详细说明如下图1为本专利技术改善穿隧效应之高效率双结薄膜太阳能电池技术之制程示意图，由图中可得知，先于基板(I)上先后镀制电极(2)和一单结薄膜太阳能电池(3)，之后在镀制完成的太阳能电池表面上，再镀制一层透明氧化层，在此接面形成一些额外的缺陷层(4)，之后再镀制上第二层薄膜太阳能电池(5)和电极(6)，即完成有良好穿隧结之高效能双结薄膜太阳能电池。图2为本专利技术改善穿隧效应之高效率双结薄膜太阳能电池技术之内建电场图，由图可得知，在第一(3)、二(5)层薄膜太阳能电池内部所形成之内建电场方向(7)是一样的，但在双结接面...
【技术保护点】
本专利技术主要是适用于双结薄膜太阳能电池之接面处，利用透明氧化层本身内部现有之缺陷，而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率，有效阻止在双结接面上载子分离形成反向的内建电场，获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结，若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉积结晶之质量，大大提升薄膜太阳能电池之效能。
【技术特征摘要】
1.本发明主要是适用于双结薄膜太阳能电池之接面处，利用透明氧化层本身内部现有之缺陷，而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率，有效阻止在双结接面上载子分离形成反向的内建电场，获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结，若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉积结晶之质量，大大提升薄膜太阳能电池之效能。2.根据权利要求1所叙述的一种改善穿隧效应之高效...
【专利技术属性】
技术研发人员：简唯伦，刘幼海，刘吉人，
申请(专利权)人：吉富新能源科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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