双结薄膜太阳能电池接面表面处理之技术制造技术

本发明专利技术为双结薄膜太阳能电池接面表面处理之技术，主要是采用氢气电浆轰击机制，在双结薄膜太阳能电池接面进行表面轰击，在此接面形成一些额外的缺陷，而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率，有效阻止载子分离形成反向的内建电场，获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结，若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉积结晶之质量，大大提升薄膜太阳能电池之效能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种是一种运用在双结薄膜太阳能电池的新技术。在双结的接面上进行表面处理，形成良好的穿隧结(tunnel junction),以增加太阳能电池发电效率。
技术介绍
由于现在太阳能产业为了有效提升太阳能电池效率，纷纷由单结太阳能电池转成双结太阳能电池。而双结太阳能电池在串联两个电池时，其接面扮演相当重要的角色，若无良好的穿隧结产生，两个太阳能电池堆栈在一起将无法有加乘效果，所以能在此接面产生良好的穿隧结，将可大大提升太阳能电池之效率，增加其产业竞争力。专利技术说明 本专利技术主要是采用氢气电浆轰击机制，在双结薄膜太阳能电池接面进行表面轰击，在此接面形成一些额外的缺陷，而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率，有效阻止载子分离形成反向的内建电场，获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结，若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉积结晶之质量，大大提升薄膜太阳能电池之效能。具体实施方法 吾将本专利技术搭配附图，详细说明如下 图1为本专利技术双结薄膜太阳能电池接面表面处理之技术之制程示意图，由图中可得知，先于基板(I)上先后镀制电极(2)和一单结薄膜太阳能电池(3)，之后在以镀制完成的太阳能电池表面上，使用氢气电浆进行表面轰击处理，在此接面形成一些额外的缺陷层，之后再镀制上第二层薄膜太阳能电池(5)和电极(6)，即完成有良好穿隧结之高效能双结薄膜太阳能电池。图2为本专利技术双结薄膜太阳能电池接面表面处理之技术之内建电场图，由图可得知，在第一(3)、二(5)层薄膜太阳能电池内部所形成之内建电场方向(7)是一样的,但在双结接面上，因为第一层N型薄膜层(3-1)与第二层P型薄膜层(5-1)容易形成反方向之内建电场，将影响载子的传递，在此接面加上一道氢气电浆表面处理(4)制程，可有效抵制反巷内建电场形成，有效提升双结薄膜太阳能电池之效率，增加太阳能产业进争能力。以上说明，对本专利技术而言只是说明性的，非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修正、变化或等效，但都将落入本专利技术的保护范围之内。附图说明下面为结合附图对本专利技术进一步说明。图1为本专利技术双结薄膜太阳能电池接面表面处理之技术之制程示意图。图2为本专利技术双结薄膜太阳能电池接面表面处理之技术之内建电场图。图标主要符号说明1…基板2…电极3…第一层薄膜太阳能电池3-1.第一层薄膜太阳能电池之P型薄膜层4…氢气电衆轰击层5…第二层薄膜太阳能电池5-1.第二层薄膜太阳能电池之N型薄膜层6…电极7…内建电场方向。本文档来自技高网...

【技术保护点】
本专利技术主要是采用氢气电浆轰击机制，在双结薄膜太阳能电池接面进行表面轰击，在此接面形成一些额外的缺陷，而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率，有效阻止载子分离形成反向的内建电场，获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结，若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉积结晶之质量，大大提升薄膜太阳能电池之效能。

【技术特征摘要】
1.本发明主要是采用氢气电浆轰击机制，在双结薄膜太阳能电池接面进行表面轰击，在此接面形成一些额外的缺陷，而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率，有效阻止载子分离形成反向的内建电场，获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结，若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉积结晶之质量，大大提升薄膜太阳能电池之效能。2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：简唯伦，刘幼海，刘吉人，
申请(专利权)人：吉富新能源科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：