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本发明主要目的是特殊刀片去除PIN薄膜以量测膜厚并改善薄膜制程，其主要为检测方式的一种改善，先将PECVD镀膜的P型、I型、N型半导体薄膜待其玻璃降温，随后将玻璃放置于玻璃切割载台上，让刀片接触膜面，以固定一方向去除膜面，并再由膜厚仪进行量...
该专利属于吉富新能源科技(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉富新能源科技(上海)有限公司授权不得商用。

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