生成沉积物的方法和硅基底表面上的沉积物技术

沉积物和在硅基底表面上生成沉积物的方法。沉积物包含氧化铝，并且方法包括任何顺序下的交替步骤：a）将作为氧前体的水和臭氧中的一种引入反应空间，b）将作为氧前体的水和臭氧中的另一种引入反应空间，c）将铝前体引入反应空间并随后吹扫反应空间；条件是，当步骤a）或步骤b）在步骤c）前时，则在步骤c）前吹扫反应空间，和当步骤a）在步骤b）前时或当步骤b）在步骤a）前时，不在步骤a）与步骤b）之间吹扫反应空间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在硅基底表面上生成包含氧化铝的沉积物的方法。进一步，本专利技术涉及硅基底表面上的沉积物。
技术介绍
原子层沉积(ALD)是在不同形状的基底上生成材料沉积物的公知方法。在ALD法中，两种或更多种不同的化学剂(前体)以顺序、交替的方式被引入反应空间，并且在反应空间中化学剂吸附在表面上，例如，在基底表面上。顺序、交替引入化学剂或前体常被称为脉冲或定量给予(化学剂或前体)。每种化学剂的脉冲之间通常存在吹扫期，在此期间不与方法所用的化学剂发生反应的气流通过反应空间被引入。因此，该气体，常被称为载气或吹扫气体(purge gas)，对于方法所用的化学 剂是惰性的，并且吹扫反应空间，除去例如，过剩的化学剂和由表面与此前化学剂脉冲之间的反应产生的副产物。这种吹扫也可以其他方式安排，并且沉积方法可以其他名称命名，如ALE (原子层外延)、ALCVD (原子层化学蒸气沉积)、循环蒸气沉积等。这些方法的重要特征是使沉积表面顺序暴露于前体和前体主要在沉积表面上的生长反应。在本说明书中，除非另外说明，这些方法将被统称为ALD型方法。具有理想厚度的沉积物可由ALD法通过重复数次脉冲顺序生长，该脉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·史卡波，
申请(专利权)人：贝尼科公司，
类型：
国别省市：