形成导电性氧化物膜的方法、导电性氧化物膜及其应用技术

在基底（2）上形成导电性氧化物膜（1）的方法，该方法包括如下步骤：将基底（2）引入反应空间，在基底（2）的沉积表面上形成预沉积物，和用化学剂处理沉积表面。在基底（2）的沉积表面上形成预沉积物的步骤包括在沉积表面上形成过渡金属氧化物的预沉积物，并随后清洗反应空间。用化学剂处理沉积表面的步骤包括用有机金属化学剂处理沉积表面，并随后清洗反应空间，从而形成包含氧、第一金属和过渡金属的氧化物。形成预沉积物和处理沉积表面的步骤交替重复，使得导电性氧化物膜（1）在基底（2）上形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及膜沉积技术。特别地，本专利技术涉及通过在沉积表面上形成沉积物和用化学剂处理该沉积物形成导电性光吸收氧化物膜的方法，和涉及用这种方法制备的导电性光吸收氧化物膜。
技术介绍
原子层沉积(ALD)是公知的在不同形状的基底上甚至在复杂的3D (三维)结构上沉积具有相对均匀的厚度轮廓的共形薄膜的方法。在ALD中，涂层通过交替重复、基本上自限制、前体与所要涂布的表面之间的表面反应而生长。因此，ALD方法的生长机制使涂层能够基本上不具有方向效应(directional effect)。在ALD方法中，两种或更多种不同的化学剂(前体)以相继、交替的方式被引入反应空间，并且化学剂在反应空间中吸附在表面上，例如在基底的表面上。相继、交替引入化学剂常被称为(化学剂的)脉冲或施加(dosing)。每次化学剂脉冲之间常有清洗期，期间不与该方法中所用的化学剂发生反应的气流被引入通过反应空间。因此该气体，常被称为载气(carrier gas)或吹扫气体(purge gas),对于该方法中所用的化学剂是惰性的,并且清洗反应空间，清除例如多余的化学剂和表面与之前的化学剂脉冲之间的反应所生成的副产物。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·毛拉，
申请(专利权)人：贝尼科公司，
类型：发明
国别省市：