本实用新型专利技术涉及一种还原炉矩形硅芯沉积基体，它包括：硅芯桥架、两根相同的长硅芯，硅芯桥架的两端加工成侧“T”形孔，在长硅芯顶端设有丫口，其丫口是在长硅芯的一端设一矩形开口，硅芯桥架两端侧“T”形孔形成的“一”字形薄壁分别置入两根长硅芯的丫口内。硅芯桥架把两根长硅芯连接成一闭合回路，加载到长硅芯两端的电流把整套硅芯沉积基体加热到合适的反应温度，整套硅芯沉积基体结构稳定。1.降低长硅芯和硅芯桥架的接触电阻，缩短预热时间，降低功耗，减少倒炉；2.硅芯桥架两端增加卡扣，保证硅芯桥架的稳定性，减少倒炉率；3.长硅芯和硅芯桥架采用区熔法拉制或切割成的硅芯，使得生产容易，降低生产成本；4.长硅芯底部可以做成平面也可以磨成锥面，按照生产的需要可以优化变动。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种还原炉矩形硅芯沉积基体，它属于多晶硅生产领域。二
技术介绍
传统的还原炉硅芯沉积基体为两根长硅芯下端分别插在两个石墨电极，上端丫口 成弧形，用一短硅芯(通常称为桥架)放置在两长硅芯顶端，形成一闭合回路，生产时分别在两硅芯沉积基体上加载高压电源，对硅芯进行加热，硅芯表面温度达1000°c左右时，氢气与三氯氢硅反应生成的硅在硅芯表面沉积，使得硅芯逐渐长粗，最终长成直径180mm左右的成品。对于硅芯沉积基体工艺目前国内普遍面临以下问题1、长硅芯弧形丫口与硅芯桥架的接触面积小，电阻大，击穿困难，导致电耗高；同时，击穿过程中局部温度过高，易倒炉，致多晶硅生产成本居高不下。2、长硅芯顶端的弧形丫口对硅芯桥架固定效果欠佳，还原炉进料时，气流大，可能把桥架吹落导致停炉。3、长硅芯与硅芯桥架需要的硅芯生产方法不同，使得生产工艺复杂，致生产成本提尚。三
技术实现思路
本技术的目的是提供一种新型的还原炉矩形硅芯沉积基体，其具有优点一、 增大长硅芯与硅芯桥架的接触面积，降低长硅芯和硅芯桥架的接触电阻，缩短预热时间，降低功耗，减少倒炉；二、硅芯桥架两端的孔固定住两根长硅芯，保证硅芯桥架的稳定性，减少倒炉率；三、长硅芯和硅芯桥架加工容易，降低生产成本。本技术的目的是这样来实现的它包括硅芯桥架、两根相同的长硅芯，硅芯桥架的两端加工成侧“T”形孔，在长硅芯顶端设有丫口，其丫口是在长硅芯的一端设一矩形开口，硅芯桥架两端侧“T”形孔形成的“一”字形薄壁分别置入两根长硅芯的丫口内。所述的长硅芯的底部可为锥形或为平面形。本技术还原炉锥形硅芯沉积基体，其具有以下优点其一、长硅芯和硅芯桥架采用同一硅芯制备炉拉制的硅芯，工艺简单。其二、长硅芯与硅芯桥架的接口完全接触，使得接触电阻降低，缩短击穿时间，降低能耗。其三、硅芯桥架两端各有一卡瓣，保证了进料时硅芯桥架的稳定性，大大降低了还原炉的倒炉率。其四、长硅芯下端可以按照生产实际灵活选择，在有相配合的石墨底座的前提下， 为减少击穿时间可以采用锥形底面，为减少加工时间，操作简单，可选用下端磨成平面的长娃芯。其五、整套硅芯结构简单，生产方便，安装容易。四附图说明图1为本技术长硅芯底部为平面形的组装图。图2为本技术长硅芯底部为平面形的分解图。图3为本技术长硅芯底部为锥形的组装图。图4为本技术长硅芯底部为锥形的组装图。其中1――硅芯桥架，2――侧 “T” 形孔，3―― 丫口，4底部为锥形的两根长硅芯5底部为平面形的两根长硅芯，五具体实施方式以下结合附图，来对本技术作进一步的详细描述参照附图，本技术还原炉锥形硅芯沉积基体，它包括硅芯桥架1、两根相同的长硅芯4，硅芯桥架1的两端加工成侧“T”形孔2，在长硅芯4顶端设有丫口 3，其丫口 3 是在长硅芯的一端设一矩形开口，硅芯桥架1两端侧“T”形孔2形成的“一”字形薄壁分别置入两根长硅芯的丫口 3内；所述的长硅芯4的底部可为锥形或为平面形。长硅芯主要功能是提供大面积的沉积基体，顶端为硅芯桥架提供搭接的丫口位置，硅芯桥架把两根长硅芯连接成一闭合回路，加载到长硅芯底端的电流把整套硅芯沉积基体加热到合适的反应温度，硅芯桥架两端的卡瓣卡在长硅芯的两端，使得整套硅芯沉积基体结构稳定，实际生产中，倒炉率接近于零。权利要求1.一种还原炉矩形硅芯沉积基体，它包括硅芯桥架(1)、两根相同的长硅芯(4)，其特征在于硅芯桥架(1)的两端加工成侧“T”形孔(2)，在长硅芯(4)顶端设有丫口(3)，其丫口(3)是在长硅芯的一端设一矩形开口，硅芯桥架(1)两端侧“T”形孔(2)形成的“一”字形薄壁分别置入两根长硅芯的丫口(3)内。2.如权利要求1所述的还原炉矩形硅芯沉积基体，其特征在于所述的长硅芯(4)的底部可为锥形或为平面形。专利摘要本技术涉及一种还原炉矩形硅芯沉积基体，它包括硅芯桥架、两根相同的长硅芯，硅芯桥架的两端加工成侧“T”形孔，在长硅芯顶端设有丫口，其丫口是在长硅芯的一端设一矩形开口，硅芯桥架两端侧“T”形孔形成的“一”字形薄壁分别置入两根长硅芯的丫口内。硅芯桥架把两根长硅芯连接成一闭合回路，加载到长硅芯两端的电流把整套硅芯沉积基体加热到合适的反应温度，整套硅芯沉积基体结构稳定。1.降低长硅芯和硅芯桥架的接触电阻，缩短预热时间，降低功耗，减少倒炉；2.硅芯桥架两端增加卡扣，保证硅芯桥架的稳定性，减少倒炉率；3.长硅芯和硅芯桥架采用区熔法拉制或切割成的硅芯，使得生产容易，降低生产成本；4.长硅芯底部可以做成平面也可以磨成锥面，按照生产的需要可以优化变动。文档编号C01B33/03GK202297149SQ20112032670公开日2012年7月4日 申请日期2011年8月24日 优先权日2011年8月24日专利技术者刘建中, 刘松林, 刘毅, 叶军, 张玉泉, 李伟, 李波, 翁博丰 申请人:陕西天宏硅材料有限责任公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘毅，刘松林，李波，叶军，张玉泉，刘建中，李伟，翁博丰，
申请(专利权)人：陕西天宏硅材料有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：
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